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王倩; 施荣; 刘丽; 李宁;
西安理工大学自动化信息工程学院,陕西 西安 710048;
国网陕西省电力公司经济技术研究院,陕西 西安 710065;
中国人民解放军63751部队,陕西 西安 710043;
有源关断; 过电压; 绝缘栅双极型晶体管;
机译:4H-SiC高压沟槽绝缘栅双极型晶体管关断损耗分析模型的研究
机译:实现低功耗的4H-SiC绝缘栅双极型晶体管关断性能研究
机译:小型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管,可提供更大的正向偏置安全工作区域并降低关断能量
机译:绝缘栅双极型晶体管导通di / dt和关断du / dt的闭环控制方法
机译:可变寿命P-I-N二极管的物理模型和绝缘栅双极晶体管(IGBT)的二维效应
机译:低关断损耗的4H-SiC沟槽绝缘栅双极晶体管的仿真研究
机译:绝缘栅双极型晶体管8英寸关键工艺的开发
机译:绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率模块中开关脉冲的热模拟。
机译:用作二极管,晶体管,绝缘栅双极型晶体管或晶闸管的半导体组件具有第一掺杂类型的半导体本体,具有有源和边缘区域
机译:绝缘栅双极型晶体管的去饱和电路,具有在双极型晶体管的栅极和集电极之间切换的开关组件,其中栅极电压降低,直到电压位于二极管的正向偏置电压附近
机译:关断绝缘栅双极型晶体管的方法和实施该方法的设备
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