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Development of 8-inch Key Processes for Insulated-Gate Bipolar Transistor

机译：绝缘栅双极型晶体管8英寸关键工艺的开发

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Liu Guoyou; Ding Rongjun; Luo Haihui;
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年度 2015
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2. Development of 8-inch Key Processes for Insulated-Gate Bipolar Transistor [J] . Guoyou Liu, Rongjun Ding, Haihui Luo 工程（英文） . 2015,第003期

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3. A Comparison of Time-Average Power Losses in Insulated-Gate Bipolar Transistors and Hybrid SIT—MOS—Transistors [J] . A. S. Kyuregyan, A. V. Gorbatyuk, B. V. Ivanov Russian electrical engineering . 2017,第2期

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