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目录
第一章 引 言
1.1 应变MOSFET技术的发展历史与研究现状
1.2 论文主要工作
1.3 论文结构安排
第二章 Si:C源漏碳原子浓度分布优化设计
2.1 研究背景与研究内容
2.2 样品制备流程
2.3 倒置C分布的Si:C材料分析与表征
2.4 具有倒置C浓度结构的NiSi接触电极特性分析
2.5 本章小结
第三章 新型Si:C源漏接触材料研究
3.1 研究背景与研究内容
3.2 样品制备流程
3.3 掺杂NiSi材料特性研究
3.4 Ni1-xAlxSi在Si:C源漏应变n-MOSFET中的应用
3.5 本章小结
第四章 适用于应变Ge沟道MOSFET的GeSn材料生长技术研究
4.1 研究背景与研究内容
4.2 离子注入参数设计与样品制备
4.3 快速热退火GeSn材料特性分析
4.4 准分子激光退火GeSn材料特性分析
4.5 本章小结
第五章GeSn合金在应变Ge MOSFET源漏结构中的应用研究
5.1 研究背景与研究内容
5.2 源漏结构设计与样品制备
5.3 样品测试与分析
5.4 本章小结
第六章 结 论
致谢
参考文献
攻博期间取得的研究成果