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Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)
Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)
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1.
Analysis of power dissipation in clocked Quantum Cellular Automaton circuits
机译:
时钟量子元胞自动机电路的功耗分析
作者:
L. Bonci
;
M. Macucci
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
2.
AlN Contour-Mode Vibrating RF MEMS for Next Generation Wireless Communications
机译:
用于下一代无线通信的AlN轮廓模式振动RF MEMS
作者:
Gianluca Piazza
;
Philip J. Stephanou
;
Albert P. Pisano
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
3.
Multi-Gate MOSFET Design
机译:
多栅极MOSFET设计
作者:
G. Knoblinger
;
C. Pacha
;
F. Kuttner
;
A. Marshall
;
C. Russ
;
P. Haibach
;
P. Patruno
;
T. Schulz
;
K. v. Arnim
;
J.P. Engelstaedter
;
L. Bertolissi
;
W. Xiong
;
C.R. Cleavelin
;
K. Schruefer
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
4.
Circuit Techniques for Organic and Amorphous Semiconductor based Field Effect Transistors
机译:
基于有机和非晶半导体的场效应晶体管的电路技术
作者:
Sanjiv Sambandan
;
Arokia Nathan
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
5.
FinFET: the prospective multi-gate device for future SoC applications
机译:
FinFET:面向未来SoC应用的预期多栅极器件
作者:
S. Inaba
;
K. Okano
;
T. Izumida
;
A. Kaneko
;
H. Kawasaki
;
A. Yagishita
;
T. Kanemura
;
T. Ishida
;
N. Aoki
;
K. Ishimaru
;
K. Suguro
;
K. Eguchi
;
Y. Tsunashima
;
Y. Toyoshima
;
Ishiuchi
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
6.
Analog and RF circuits in 45 nm CMOS and below: planar bulk versus FinFET
机译:
采用45 nm CMOS及以下工艺的模拟和RF电路:平面体积与FinFET
作者:
Piet Wambacq
;
Bob Verbruggen
;
Karen Scheir
;
Jonathan Borremans
;
Vincent De Heyn
;
Geert Van der Plas
;
Abdelkarim Mercha
;
Bertrand Parvais
;
Vaidy Subramanian
;
Malgorzata Jurczak
;
Stefaan Decoutere
;
Stephane Donnay
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
7.
Mobile Friendly Rollable Displays
机译:
移动友好型滚动显示器
作者:
Karl McGoldrick
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
8.
Perspective of Low-Power and High-Speed Wireless Inter-Chip Communications for SiP Integration
机译:
用于SiP集成的低功耗和高速无线芯片间通信的前景
作者:
Tadahiro Kuroda
;
Noriyuki Miura
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
9.
Integrated Micromechanical Circuits for RF Front Ends
机译:
用于射频前端的集成微机械电路
作者:
Clark T.-C.Nguyen
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
关键词:
MEMS;
micromechanical;
quality factor;
resonator;
oscillator;
filter;
wireless communications;
mechanical circuit;
LSI;
VLSI;
RF MEMS;
10.
Impact of Random Dopant Fluctuation on Bulk CMOS 6-T SRAM Scaling
机译:
随机掺杂波动对CMOS 6-T SRAM缩放的影响
作者:
B. Cheng
;
S. Roy
;
G. Roy
;
A. Brown
;
A. Asenov
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
11.
Single-Electron Transistors and Circuits for Future Ubiquitous Computing Applications
机译:
单电子晶体管和电路,适合未来的泛在计算应用
作者:
Ken Uchida
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
12.
Design methodologies and tools for circuit design in CMOS nanometer technologies
机译:
CMOS纳米技术中电路设计的设计方法和工具
作者:
Georges G.E. Gielen
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
13.
Nanotransistors: A Bottom-Up View
机译:
纳米晶体管:自下而上的观点
作者:
Mark Lundstrom
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
14.
An industrial view on compact modeling
机译:
紧凑建模的工业观点
作者:
Reinout Woltjer
;
Luuk Tiemeijer
;
Dick Klaassen
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
15.
Independent-Gate Controlled Asymmetrical SRAM Cells in Double-Gate MOSFET Technology for Improved READ Stability
机译:
采用双栅极MOSFET技术的独立栅极控制的非对称SRAM单元,提高了读取稳定性
作者:
Jae-Joon Kim
;
Keunwoo Kim
;
Ching-Te Chuang
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
16.
A High Performance pMOSFET with Two-step Recessed SiGe-S/D Structure for 32nm node and Beyond
机译:
具有两步式SiGe-S / D结构的高性能pMOSFET,适用于32nm以上节点
作者:
N. Yasutake
;
T. Ishida
;
K. Ohuchi
;
N. Aoki
;
N. Kusunoki
;
S. Mori
;
I. Mizushima
;
T. Morooka
;
K. Yahashi
;
S. Kawanaka
;
K. Ishimaru
;
H. Ishiuchi
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
17.
A planar transistor for the 32-nm node and beyond with an ultra-shallow junction fabricated using in-situ doped selective Si epitaxy
机译:
使用原位掺杂选择性Si外延制造的用于32 nm及更高节点的平面晶体管,具有超浅结
作者:
Y. Kikuchi
;
Y. Tateshita
;
T. Kataoka
;
J. Wang
;
Y. Miyanami
;
K. Kugimiya
;
T. Kimura
;
T. Ikuta
;
H. Ikeda
;
S. Fujita
;
R. Yamamoto
;
S. Kanda
;
Y. Tagawa
;
H. Iwamoto
;
T. Ohno
;
T. Kobayashi
;
M. Saito
;
S. Kadomura
;
N. Nasashima
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
18.
Ultra-Thin-Body P-MOSFET Featuring Silicon-Germanium Source/Drain Stressors With High Germanium Content Formed by Local Condensation
机译:
具有局部锗形成的高锗硅锗源极/漏极应力源的超薄P型MOSFET
作者:
King-Jien Chui
;
Kah-Wee Ang
;
Anuj Madan
;
Anyan Du
;
Chih-Hang Tung
;
Narayanan Balasubramanian
;
Ganesh Samudra
;
Yee-Chia Yeo
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
19.
Carrier Backscattering Characteristics of Strained N-MOSFET Featuring Silicon-Carbon Source/Drain Regions
机译:
具有硅碳源/漏区的应变N-MOSFET的载流子反向散射特性
作者:
Kah-Wee Ang
;
Hock-Chun Chin
;
King-Jien Chui
;
Ming-Fu Li
;
Ganesh Samudra
;
Yee-Chia Yeo
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
20.
Electron mobility enhancement in uniaxially strained MOSFETs: Extraction of the effective mass variation
机译:
单轴应变MOSFET中电子迁移率的提高:有效质量变化的提取
作者:
F. Rochette
;
M. Casse
;
M. Mouis
;
D. Blachier
;
C. Leroux
;
B. Guillaumot
;
G. Reimbold
;
F. Boulanger
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
21.
Quantifying Self-Heating Effects in Strained Si MOSFETs with Scaling
机译:
通过缩放来量化应变Si MOSFET中的自热效应
作者:
Rimoon Agaiby
;
Anthony ONeill
;
Sarah Olsen
;
Geert Eneman
;
Peter Verheyen
;
Roger Loo
;
Cor Claeys
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
22.
STI Effect on Flicker Noise in 0.13-μm RF NMOS
机译:
STI对0.13-μmRF NMOS中闪烁噪声的影响
作者:
Chih-Yuan Chan
;
Jun-De Jin
;
Yu-Syuan Lin
;
Shawn S. H. Hsu
;
Ying-Zong Juang
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
23.
Generation Recombination Noise in Dual Channel AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
机译:
双通道AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的产生复合噪声
作者:
S. K. Jha
;
C. Surya
;
K. J. Chen
;
K. M. Lau
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
24.
Work Function Investigation in Advanced Metal Gate-HfO_2-SiO_2 Systems with Bevel Structures
机译:
具有斜面结构的先进金属门HfO_2-SiO_2系统的功函数研究
作者:
Atsushi Kuriyama
;
Olivier Faynot
;
Laurent Brevard
;
Amelie Tozzo
;
Laurence Clerc
;
Simon Deleonibus
;
Jerome Mitard
;
Vincent Vidal
;
Sorin Cristoloveanu
;
Hiroshi Iwai
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
25.
Systematic Gate Stack Optimization to Maximize Mobility with HfSiON EOT Scaling
机译:
使用HfSiON EOT缩放比例的系统栅极堆叠优化可最大程度地提高移动性
作者:
M. A. Quevedo-Lopez
;
P.D. Kirsch
;
S. Krishnan H. N. Alshareef
;
J. Barnett
;
H. R. Harris
;
A. Neugroschel
;
F.S. Aguirre-Tostado
;
B. E. Gnade
;
M. J. Kim
;
R. M. Wallace
;
B.H. Lee
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
26.
Dual phase TOSI-gate process on High-K dielectrics in a CMP-less flow
机译:
在无CMP的流程中对高K电介质进行双相TOSI栅极工艺
作者:
A. Mondot
;
M. Mueller
;
A. Talbot
;
C.Vizioz
;
S. Pokrant
;
F. Leverd
;
F. Martin
;
C. Leroux
;
Y. Morand
;
S. Descombes
;
D.Aime
;
F. Allain
;
P. Besson
;
T. Skotnicki
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
27.
High Performance pMOSFET with ALD-TiN/HfO_2 Gate Stack on (110) Substrate by Low Temperature Process
机译:
通过低温工艺在(110)衬底上具有ALD-TiN / HfO_2栅堆叠的高性能pMOSFET
作者:
K. Tai
;
T. Hirano
;
S. Yamaguchi
;
T. Ando
;
S. Hiyama
;
J. Wang
;
Y. Nagahama
;
T. Kato
;
M. Yamanaka
;
S. Terauchi
;
S. Kanda
;
R. Yamamoto
;
Y. Tateshita
;
Y. Tagawa
;
H. Iwamoto
;
M. Saito
;
N. Nagashima
;
S. Kadomura
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
28.
On-Chip RF Detection of DNA Hybridization Based on Interdigitated Al/Al_2O_3 Capacitors
机译:
基于叉指式Al / Al_2O_3电容器的DNA杂交片上RF检测
作者:
L. Moreno-Hagelsieb
;
G. Laurent
;
R. Pampin
;
D. Flandre
;
J.-P. Raskin
;
B. Foultier
;
J. Remacle
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
29.
A miniaturized multiwire proportional chamber using CMOS wafer scale post-processing
机译:
使用CMOS晶圆级后处理的小型多线比例腔
作者:
V. M. Blanco Carballo
;
M. Chefdeville
;
H. van der Graa
;
C. Salm
;
A. A. I. Aarnink
;
S. M. Smits
;
D. M. Altpeter
;
J. Timmermans
;
J. L. Visschers
;
J. Schmitz
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
30.
Modeling of a CMOS Convective Accelerometer for HDL integration
机译:
用于HDL集成的CMOS对流加速度计的建模
作者:
O. Leman
;
A. Chaehoi
;
F. Mailly
;
L. Latorre
;
P. Nouet
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
31.
Design And Analysis Of A Capacitive Vibration-To-Electrical Energy Converter With Built-in Voltage
机译:
内置电压的电容式振动电动能量转换器的设计与分析
作者:
Ingo Kuehne
;
Alexander Frey
;
Gerald Eckstein
;
Ulrich Schmid
;
Helmut Seidel
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
32.
Germanium FETs and capacitors with rare earth CeO_2/HfO_2 gates
机译:
具有稀土CeO_2 / HfO_2栅极的锗FET和电容器
作者:
A. Dimoulas
;
Y. Panayiotatos
;
A. Sotiropoulos
;
P. Tsipas
;
D. P. Brunco
;
G. Nicholas
;
J. Van Steenbergen
;
F. Bellenger
;
M. Houssa
;
M. Caymax
;
M. Meuris
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
33.
New TIT Capacitor with ZrO_2/Al_2O_3/ZrO_2 dielectrics for 60nm and below DRAMs
机译:
具有ZrO_2 / Al_2O_3 / ZrO_2电介质的新型TIT电容器,用于60nm及以下的DRAM
作者:
Ho Jin Cho
;
Young Dae Kim
;
Dong Su Park
;
Euna Lee
;
Cheol Hwan Park
;
Jun Soo Jang
;
Keum Bum Lee
;
Hai Won Kim
;
Soo Jin Chae
;
Young Jong Ki
;
Il Keun Han
;
Yong Wook Song
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
34.
Approaches to CMOS integration of epitaxial gadolinium oxide high-K dielectrics
机译:
外延氧化oxide高K电介质的CMOS集成方法
作者:
H.D.B. Gottlob
;
T. Echtermeyer
;
T. Mollenhauer
;
M. Schmidt
;
J.K.Efavi
;
T. Wahlbrink
;
M.C. Lemme
;
H.Kurz
;
R. Endres
;
Y. Stefanov
;
U. Schwalke
;
M. Czernohorsky
;
E. Bugiel
;
A. Fissel
;
H.J. Osten
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
35.
CMOS Compatible Dual Metal Gate Integration with Successful V_(th) Adjustment on High-k HfTaON by High-Temperature Metal Intermixing
机译:
CMOS兼容双金属栅极集成,通过高温金属混合成功地对高k HfTaON进行V_(th)调整
作者:
C. Ren
;
D. S. H. Chan
;
W. Y. Loh
;
J. W. Peng
;
S. Balakumar
;
Y. Jiang
;
C. H. Tung
;
A. Y. Du
;
G. Q. Lo
;
R. Kumar
;
N. Balasubramanian
;
D.-L. Kwong
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
36.
First ultra-thin film FDSOI devices with CMP-less Totally Sllicided (TOSI) gate Integration
机译:
首款具有CMP完全无硅化(TOSI)门集成功能的超薄膜FDSOI器件
作者:
C. Fenouillet-Berangei
;
C. Gallon
;
A. Vandooren
;
D. Aime
;
L. Tosti
;
F. Leverd
;
O. Faynot
;
C. Arvet
;
C. Perrot
;
B. Froment
;
M. Muelled
;
F. Allain
;
A. Toffoli
;
S. Vanbergue
;
M.X. Villani
;
D. Delille
;
S. Pokrant
;
T. Skotnicki
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
37.
Monte-Carlo Simulation of Decananometric Double-Gate SOI devices: Multi-Subband vs. 3D-Electron Gas with Quantum Corrections
机译:
十进制双门SOI器件的蒙特卡罗仿真:具有量子校正的多子带与3D电子气体
作者:
I.Riolino
;
M.Bracciolit
;
L.Lucci
;
D.Esseni
;
C.Fiegna
;
P.Palestri
;
L.Selmi
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
38.
Assessment of the Impact of Biaxial Strain on the Drain Current of Decanometric n-MOSFET
机译:
评估双轴应变对分米n-MOSFET漏极电流的影响
作者:
D. Ponton
;
L. Lucci
;
P. Palestri
;
D. Esseni
;
L. Selmi
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
39.
Effects of the Band-Structure Modification in Silicon Nanowires with Small Diameters
机译:
小直径硅纳米线中带结构修饰的影响
作者:
E. Gnani
;
S. Reggiani
;
M. Rudan
;
G. Baccarani
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
40.
Monte Carlo Simulation of the Performance Dependence on Surface and Channel Orientation in Scaled pFinFETs
机译:
规模化pFinFET中取决于表面和沟道方向的性能的蒙特卡罗模拟
作者:
F.M. Buffer
;
A. Erlebach
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
41.
Orientation Dependence of the Low Field Mobility in Double- and Single-gate SOI FETs
机译:
双栅极和单栅极SOI FET中低场迁移率的方向依赖性
作者:
Viktor Sverdlov
;
Enzo Ungersboeck
;
Hans Kosina
;
Siegfried Selberherr
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
42.
One and Two Port Piezoelectric Contour-Mode MEMS Resonators for Frequency Synthesis
机译:
用于频率合成的一端口和两端口压电轮廓模式MEMS谐振器
作者:
Gianluca Piazza
;
Philip J. Stephanou
;
Albert P. Pisano
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
43.
Above IC integrated SrTiO_3 high K MIM capacitors
机译:
在IC上方集成SrTiO_3高K MIM电容器
作者:
Emmanuel Defaye
;
David Wolozan
;
Pierre Garrec
;
Bernard Andre
;
Laurent Ulmer
;
Marc Aied
;
Jean-Pierre Blanc
;
Emmanuelle Serret
;
Philippe Delpech
;
Jean-Christophe Giraudin
;
Julie Guillan
;
Denis Pellissier
;
Pascal Ancey
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
44.
High Quality Factor Copper Inductors on Wafer-Level Quartz Package for RF MEMS Applications
机译:
晶圆级石英封装上的高品质因数铜电感器,用于RF MEMS应用
作者:
Christine Leroy
;
Marcelo B. Pisani
;
Raphaeel Fritschi
;
Cyrille Hibert
;
Adrian M. Ionescu
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
45.
On-Chip Integrated Inductors with Ni-Zn-Cu-Fe and Y-Bi-Fe Ferrite Thin-films for RF IC
机译:
用于RF IC的带有Ni-Zn-Cu-Fe和Y-Bi-Fe铁氧体薄膜的片上集成电感器
作者:
Chen Yang
;
Feng Liu
;
Tianling Ren
;
Litian Liu
;
Albert Z. Wang
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
46.
Design and Manufacturing of Small Area On-Chip-Antenna (OCA) for RFID Tags
机译:
RFID标签小面积片上天线(OCA)的设计与制造
作者:
L. H. Guo
;
W. G. Yeoh
;
Y. B. Choi
;
X. S. Chen
;
H. Y. Li
;
M. Tang
;
G. Q. Lo
;
N. Balasubramanian
;
D. L. Kwong
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
47.
Threshold voltage dispersion and impurity scattering limited mobility in carbon nanotube field effect transistors with randomly doped reservoirs
机译:
具有随机掺杂储层的碳纳米管场效应晶体管中的阈值电压分散和杂质散射限制了迁移率
作者:
Gianluca Fiori
;
Giuseppe Iannaccone
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
48.
Carbon nanotube field-effect transistor for GHZ operation
机译:
用于GHZ操作的碳纳米管场效应晶体管
作者:
J.-M. Bethoux
;
H. Happy
;
G. Dambrine
;
J. Borghetti
;
V. Derycke
;
M. Goffman
;
J.-P. Bourgoin
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
49.
Optimal Design for Carbon Nanotube Transistors
机译:
碳纳米管晶体管的优化设计
作者:
M. Pourfath
;
H. Kosina
;
S. Selberherr
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
50.
Ge-catalyzed Vapour-Liquid-Solid growth of Carbon Nanotubes
机译:
Ge催化的碳纳米管汽液固相生长
作者:
T. Uchino
;
C.H. de Groot
;
P. Ashburn
;
K.N. Bourdakos
;
D.C. Smith
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
51.
New Floating Gate Self-Aligning Technology for Multilevel NOR Flash Memory
机译:
用于多层NOR闪存的新型浮栅自对准技术
作者:
Wook H. Lee
;
Jae-Hoon Kim
;
Ki-Yeol Byun
;
Bong-Yong Lee
;
Sang-Pil Sim
;
Chan-Kwang Park
;
Kinam Kim
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
52.
A Novel Channel-Program-Erase Technique with Substrate Transient Hot Carrier Injection for SONOS Memory Application
机译:
具有衬底瞬态热载流子注入技术的SONOS存储器通道编程擦除新技术
作者:
Tzu-Hsuan Hsu
;
Jau-Yi Wu
;
Ya Chin King
;
Hang Ting Lue
;
Yen Hao Shih
;
Erh-Kun Lai
;
Kuang-Yeu Hsieh
;
Rich Liu
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
53.
VDNROM: A Novel Four-Bits-Per-Cell Vertical Channel Dual-Nitride-Trapping-Layer ROM for High Density Flash Memory Applications
机译:
VDNROM:一种用于高密度闪存应用的新型每单元四位垂直通道双氮化物阱层ROM
作者:
Falong Zhou
;
Yimao Cai
;
Ru Huang
;
Yan Li
;
Xiaonan Shan
;
Jia Liu
;
Ao Guo
;
Xing Zhang
;
Yangyuan Wang
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
54.
Analysis of a Novel Electrically Programmable Active Fuse for Advanced CMOS SOI One-Time Programmable Memory Applications
机译:
用于高级CMOS SOI一次性可编程存储器应用的新型电可编程有源保险丝的分析
作者:
Alex Hoefler
;
Chad Henson
;
Chi-Nan Li
;
Der-Gao Lin
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
55.
Integrated VDMOS transistor with reduced JFET effect
机译:
集成的VDMOS晶体管具有降低的JFET效应
作者:
Hedi Hakim
;
Davide Bolognesi
;
Freddy De Pestel
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
56.
Reliability Comparison of Al_2O_3 and HfSiON for use as Interpoly Dielectric in Flash Arrays
机译:
Al_2O_3和HfSiON用作闪存阵列中互电介质的可靠性比较
作者:
Almudena Huerta Miranda
;
Rob van Schaijk
;
Michiel van Duuren
;
Nader Akil
;
Dusan S. Golubovic
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
57.
Al_2O_3 Based Flash Interpoly Dielectrics: a Comparative Retention Study
机译:
基于Al_2O_3的Flash Interpoly电介质:比较保留研究
作者:
Dirk Wellekens
;
Pieter Blomme
;
Bogdan Govoreanu
;
Joeri De Vos
;
Luc Haspeslagh
;
Jan Van Houdt
;
David P. Brunco
;
Koen van der Zanden
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
58.
In-depth Investigation of HfAlO Layers as Interpoly Dielectrics of Future Flash Memories
机译:
深入研究HfAlO层作为未来闪存的互电介质
作者:
G. Molas
;
H. Grampeix
;
J. Buckley
;
M. Bocquet
;
X. Garros
;
F. Martin
;
J. P. Colonna
;
P. Brianceau
;
V. Vidal
;
M. Gely
;
B. De Salvo
;
S. Deleonibus
;
C. Bongiorno
;
S. Lombardo
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
59.
Evaluation of the degradation of floating-gate memories with Al_2CO_3 tunnel oxide
机译:
用Al_2CO_3隧道氧化物评估浮栅存储器的性能
作者:
J. Buckley
;
G. Molas
;
M. Gely
;
F. Martin
;
B. De Salvo
;
S. Deleonibus
;
G. Pananakakis
;
C. Bongiorno
;
S. Lombardo
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
60.
Retention Tail Improvement for Gbit DRAMs through Trap Passivation confirmed by Activation Energy Analysis
机译:
活化能分析证实陷阱钝化可改善Gbit DRAM的保留尾巴
作者:
A. Weber
;
A. Birner
;
W. Krautschneider
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
关键词:
DRAM;
retention;
fluorine;
activation energy;
61.
Drain leakage fluctuation reduction in the recessed channel array transistor DRAM with the elevated source-drain
机译:
具有升高的源极-漏极的凹陷的沟道阵列晶体管DRAM中的漏极泄漏波动减小
作者:
Wookje Kim
;
Satoru Yamada
;
Sang-Yeon Han
;
Chang-Hoon Jeon
;
Shin-Deuk Kim
;
Siok Sohn
;
Nak-Jin Son
;
Jung-Su Park
;
Wouns Yang
;
Young-Pil Kim
;
Won-Seok Lee
;
Donggun Park
;
Byung-il Ryu
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
62.
Scaling aspects of microjoints for 3D chip interconnects
机译:
用于3D芯片互连的微连接的缩放方面
作者:
A. Munding
;
A. Kaiser
;
P. Benkart
;
E. Kohn
;
A. Heittmann
;
H. Huebner
;
U. Ramacher
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
63.
Investigations on an Isolated Lateral High-Voltage n-channel LDMOS Transistor with a Typical Breakdown of 150V
机译:
典型击穿电压为150V的隔离横向高电压N沟道LDMOS晶体管的研究
作者:
Martin Knaipp
;
Jong Mun Park
;
Verena Vescoli
;
Georg Roehrer
;
Rainer Minixhofer
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
64.
A Highly Scalable High Voltage MOSFET Model
机译:
高度可扩展的高压MOSFET模型
作者:
Y. S. Chauhan
;
C. Anghel
;
F. Krummenacher
;
A. M. Ionescu
;
M. Declercq
;
R. Gillon
;
S. Frere
;
B. Desoete
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
65.
Power trench MOSFETs with very low specific on-resistance for 25V applications
机译:
适用于25V应用的具有低导通电阻的功率沟槽MOSFET
作者:
Pierre Goarin
;
Rob van Dalen
;
Gerhard Koops
;
Christelle Le Cam
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
66.
Effects of an Fe-doped GaN Buffer in AlGaN/GaN Power HEMTs on Si Substrate
机译:
Si衬底上AlGaN / GaN Power HEMT中Fe掺杂GaN缓冲层的影响
作者:
Y. C. Choi
;
L. F. Eastman
;
M. Pophristic
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
67.
Experimental and simulation study of the Schottky barrier lowering by substrate doping variation for PtSi Source/Drain SBFETs
机译:
PtSi源/漏SBFET通过衬底掺杂变化降低肖特基势垒的实验和仿真研究
作者:
Gregory P. Lousberg
;
H.Y. Yu
;
B. Froment
;
M.F. Li
;
E. Augendre
;
A. De Keersgieter
;
C. Demeurisse
;
S. Brus
;
B. Degroote
;
T. Hoffmann
;
A. Lauwers
;
M. DePotter
;
S. Kubicek
;
K. Anil
;
P. Absil
;
M. Jurczak
;
S. Biesemans
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
68.
Dopant-Segregated Ni-Silicide Schottky-Source/Drain CMOS on Strained-Si/SiGe Multiple Quantum-Well Channel on Bulk-Si
机译:
体硅上的应变硅/硅锗多量子阱沟道上的掺杂剂隔离镍硅化物肖特基源/漏CMOS
作者:
L.K.Bera
;
Y.F.Lim
;
S. J. Tan
;
W. Y. Loh
;
B. Ramana Murthy
;
N.Singh
;
Yang Rong
;
C.H.Tung
;
H. S. Nguyen
;
R.Kumar
;
G.Q.Lo
;
N.Balasubramanian
;
D.L. Kwong
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
69.
Schottky Tunneling Source MOSFET Design for Mixed Mode and Analog Applications
机译:
适用于混合模式和模拟应用的肖特基隧道源极MOSFET设计
作者:
R. Jhaveri
;
J. Woo
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
70.
Fabrication and Analysis of CMOS Fully-Compatible High Conductance Impact-Ionization MOS (I-MOS) Transistors
机译:
CMOS完全兼容的高电导冲击电离MOS(I-MOS)晶体管的制造和分析
作者:
C. Charbuillet
;
Dubois
;
S. Monfray
;
P. Bouillon
;
T. Skotnicki
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
71.
Co-integration of 2 mV/dec Subthreshold Slope Impact Ionization MOS (I-MOS) with CMOS
机译:
2 mV / dec亚阈值斜率冲击电离MOS(I-MOS)与CMOS的协整
作者:
F. Mayer
;
C. Le Royer
;
G. Le Carval
;
C. Tabone
;
L. Clavelier
;
S. Deleonibus
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
72.
Partitioning Scheme in Lateral Asymmetric MOST
机译:
横向不对称MOST中的分区方案
作者:
A. S. Roy
;
Y. S. Chauhan
;
J.-M. Sallese
;
C. C. Enz
;
A. M. Ionescu
;
M. Declercq
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
73.
Self Heating Simulation of Multi-Gate FETs
机译:
多栅极FET的自发热仿真
作者:
W. Molzer
;
Th. Schulz
;
W. Xiong
;
R. C. Cleavelint
;
K. Schruefer
;
A. Marshall
;
K. Matthews
;
J. Sedlmeir
;
D. Siprak
;
G. Knoblinger
;
L. Bertolissi
;
P. Patruno
;
J.-P. Colinge
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
74.
Statistical Exploration of the Dual Supply Voltage Space of a 65nm PD/SOI CMOS SRAM Cell
机译:
65nm PD / SOI CMOS SRAM单元双电源电压空间的统计探索
作者:
Rajiv Joshi
;
Rouwaida Kanj
;
Sani Nassif
;
Donald Plass
;
Yuen Chan
;
Ching-Te Chuang
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
75.
Geometry Optimization of Sub-100nm Node RF CMOS Utilizing Three Dimensional TCAD Simulation
机译:
利用三维TCAD模拟对100nm以下节点RF CMOS进行几何优化
作者:
Takaaki Tatsumi
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
76.
Extrinsic, Parasitic Capacitance Contributions of MOSFETs, their Impact on Performance, and their Modeling
机译:
MOSFET的外部,寄生电容贡献,其对性能的影响及其建模
作者:
Judith Mueller
;
Gregory Caruyer
;
Rainer Thoma
;
Christophe Bemicot
;
Andre Juge
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
77.
Novel Retinal Prosthesis System with Three Dimensionally Stacked LSI Chip
机译:
具有三维堆叠LSI芯片的新型视网膜假体系统
作者:
T. Watanabe
;
H. Kikuchi
;
T. Fukushima
;
H. Tomita
;
E. Sugano
;
H. Kurino
;
T. Tanaka
;
M. Tamai
;
M. Koyanagi
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
78.
Fixed-Pattern Noise Induced by Transmission Gate in Pinned 4T CMOS Image Sensor Pixels
机译:
固定4T CMOS图像传感器像素中的传输门引起的固定模式噪声
作者:
Xinyang Wang
;
Padmakumar R. Rao
;
Albert J.P. Theuwissen
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
79.
InGaAs/InP Single Photon Avalanche Diode Design and Characterization
机译:
InGaAs / InP单光子雪崩二极管的设计与表征
作者:
Alberto Tosi
;
Sergio Cova
;
Franco Zappa
;
Mark A. Itzler
;
Rafael Ben-Michael
会议名称:
《Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2006)》
|
2006年
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