机译:共同优化金属栅极/高k堆栈,以实现EOT =〜1 nm的高90%SiO {sub} 2通用迁移率的高场迁移率
机译:演示使用多晶硅$ hbox {Si / TaN / Dy} _ {2} hbox {O} _ {3} / hbox {SiON} $栅极堆叠的金属栅极低$ V_ {t} $ n-MOSFET规模化EOT值
机译:直接在SiGe上限制高$ k $ /金属栅极堆叠的EOT缩放和栅极漏电流的机制
机译:系统门堆栈优化以HFSION EOT缩放最大限度地提高移动性
机译:紧凑的栅极电容和栅极电流建模,可用于超薄(EOT〜1 nm及以下)二氧化硅和高kappa栅极电介质。
机译:本体和薄膜高迁移率共轭聚合物中的供体-受体堆叠结构使用分子建模MAS和表面增强型固态NMR光谱进行表征
机译:用于HFN / HFSION栅极堆栈的HFN栅电极的选择性蚀刻原位形成