机译:HfN / HfSiON栅堆叠原位形成的HfN栅电极的选择性刻蚀
机译:利用三维硅结构上的电子回旋共振等离子体溅射原位形成0.5 nm等效氧化物厚度的HfN / HfSiON栅叠层
机译:具有TaN / HfN电极的超薄HfO_2栅堆叠
机译:使用TaSiN / TaSi_x堆叠电极和选择性衬底氟注入技术的超薄HfSiON栅极电介质的高迁移率和低V_th金属栅极CMOSFET
机译:纳米级处理中的等离子体表面相互作用:通过硅选择性保留低k完整性和高k栅堆叠蚀刻。
机译:刺激处理过程中的枕骨α活动将信息流控制到对象选择皮层
机译:纳米级处理中的等离子体表面相互作用:通过硅选择性保护低k完整性和高k栅堆叠蚀刻
机译:通过纳米交叉线堆叠的构造和选择性化学蚀刻制造纳米间隙电极阵列