具有埋层结构的新型双面阶梯埋氧型SOI LDMOS

摘要

本实用新型公开了一种具有埋层结构的新型双面阶梯埋氧型SOI LDMOS，包括第一掺杂类型的衬底，所述衬底上设有双面阶梯埋氧层，所述双面阶梯埋氧层的上侧阶梯处通过离子注入的方式还设有多个第一掺杂类型且掺杂浓度不等的埋层，所述埋层的掺杂浓度按照从靠近漏端到远离漏端的顺序逐渐增高。本实用新型所述一种具有埋层结构的新型双面阶梯埋氧型SOI LDMOS通过提高SOI LDMOS的耐压进一步提高了SOI LDMOS的击穿电压。