沟槽

摘要： 针对翼型表面的流动分离,采用数值模拟方法研究随行波结构流动控制的机制。为了验证计算方法的可靠性,将翼型表面静压曲线与实验测试结果进行对比,发现两者吻合程度较好。数值计算结果表明,适当增加随行波的相对弦长长度,有助于改善翼型的气动性能。当攻角小于3°时,随行波位于分离点之前,沟槽内形成顺时针旋转的二次涡,有助于加速边界层低速条带;在大攻角下,随行波位于分离点之后,顺时针卷起的分离涡在沟槽内形成逆时针旋转的二次涡,与分离涡互为反向涡对,减小了尾缘分离区范围。翼型表面随行波能有效地控制边界层流动。

摘要： 为了探究沟槽工件在超声振动辅助磁性复合流体(Ultrasonic Vibration-assisted Magnetic Compound Fluid,UVMCF)抛光过程中流体性能对抛光加工的影响,对沟槽的超声振动辅助磁性复合流体抛光进行仿真分析并通过工艺实验进行验证。首先利用COMSOL Multiphysics有限元分析软件建立UVMCF抛光过程中抛光液流动的数学模型,进而分析超声振动下抛光液的流动特性;再以316L型不锈钢沟槽作为加工对象,进行UVMCF抛光工艺实验并获得最佳工艺参数。研究结果表明:磁性复合流体(Magnetic Compound Fluid,MCF)抛光液在沟槽中流动的过程中,对沟槽表面压力呈现周期性变化,在1/4周期处取得最大值;当抛光时间为5 min、抛光轮转速为500 rpm、振幅为5μm时抛光效果最佳,沟槽顶部表面粗糙度Ra达到0.217μm;槽底表面粗糙度Ra达到0.403μm,去除率为4.74 mg/min。

摘要： 以忻州城区2019年新建改造道路工程为例,结合市政管线沟槽开挖实际,提出两种沟槽回填加固方案,分别为原开挖料回填加固(方案一)和从下至上回填的“强弱”结合回填加固(方案二),并应用FLAC3D软件对市政雨水管线沟槽回填方案二的加固过程进行模拟计算。经分析,随着道路下市政管线沟槽埋深的增大,沉降位移明显比未加固处理前降低,加固效果十分显著,管道沉降量也得到有效控制。

摘要： 为研究T形沟槽形非光滑表面的形貌参数对摩擦性能的影响,验证自组装凹坑形非光滑表面的耐磨性能,基于稳态二维不可压缩Reynolds方程,建立T形沟槽表面织构化理论模型;利用有限差分法和高斯-赛德尔迭代法求解金属表面的油膜压力分布和剪切应力,进而获得油膜承载力和摩擦因数;对T形槽织构的宽度系数比α、深度系数比β对金属-橡胶摩擦副油膜承载能力和摩擦因数的影响规律进行数值分析。结果表明:T形沟槽织构的存在使得油膜内部的压力增大,并且随T形沟槽宽度系数比增加,织构动润滑性能先增大后减小再增加,宽度系数比在40%时达到最佳,且宽度系数比越大,织构的动压效应越差,宽度系数比无限接近1时,沟槽突变为矩形沟槽,使动压效应增加;随着T形沟槽深度系数比增加,织构动润滑性能先增加后减小,宽度系数比在40%~60%内最佳;在流体动压润滑范围内,适当控制T形沟槽的宽度比和深度比,使沟槽底部尽可能平整,保证织构上下两部分良好的协同作用和动压区域,便能获得润滑减摩性能最好的T形沟槽表面织构。

摘要： 针对底部平型和梳型橡胶密封垫结构,采用有限元软件建立三维计算模型,开展密封垫沟槽、粘贴质量对密封垫防水性能影响研究,探究密封垫防水薄弱点,并开展模型试验进行验证。研究表明:(1)橡胶密封垫压缩过程中易向两侧管片间隙中变形,使沟槽内实际面积减小,降低密封垫防水能力。(2)底部梳型密封垫粘贴固定时,密封垫间接触面是接头防水薄弱点;当未粘贴时密封垫间接触应力与粘贴固定时相比降低了25.8%,防水薄弱环节为密封垫底部与沟槽接触面。(3)平型密封垫在未粘贴的情况下,压缩过程结构也较为稳定,粘贴质量对密封垫防水性能影响较小。

摘要： 一种鞋类物品包括中底布,该中底布包括限定内部空腔并配置为将流体保持在内部空腔内的聚合物囊。聚合物囊具有绕内部空腔的周边的至少一部分延伸的周边凸缘。拉伸部件设置在内部空腔中。拉伸部件被固定至聚合物囊的相对的内表面。周边凸缘限定沿周边凸缘延伸的沟槽。当缝合或以其他方式将中底布固定至鞋面时,沟槽用作操作者或机器的引导路径。

摘要： 合理的流场结构能够提高燃料电池性能以及燃料的利用率.通过建立新型流场结构,对新型流场的速度矢量、流道内压力分布、阴极氧含量的分布等进行了分析.研究结果表明:在流道内压降合理的情况下,在流道轴线上建立均匀分布、不同数量的矩形沟槽时,矩形沟槽数N=5为最适宜的沟槽数;在流场中分别加入波浪形沟槽、矩形沟槽和三角形沟槽,对电池性能均有所提高,其中,波浪形沟槽的效果要优于矩形沟槽和三角形沟槽.

摘要： "仿生学"沟槽结构在航空发动机叶片减阻和燃滑油系统减阻等领域有潜在的应用前景.为获得该结构构型参数和雷诺数对减阻效果的影响规律,通过对鲨鱼及海豚表皮特征进行仿生设计了横向和纵向沟槽,利用数值模拟方法对不同沟槽构型在不同雷诺数下的减阻效果开展了对比研究和机理分析.结果表明:横向和纵向沟槽构型减阻率均随雷诺数增大而减小,并且雷诺数影响占主导地位.对于横向沟槽构型,沟槽间距较大的构型沿程阻力占主导,在相对高雷诺数下减阻效果较好;沟槽数量较多的构型局部阻力占主导,在相对低雷诺数下减阻效果较好;无间距构型在相对低雷诺数下减阻效果最好,减阻率约为4.14％.对于纵向沟槽构型,减阻率比横向沟槽的高约1个百分点,雷诺数对减阻效果影响不大.

摘要： 提出了一种具有低导通压降同时具有低漏电流的碳化硅650V肖特基二极管结构,基于半导体仿真软件Silvaco,验证了其正反向的器件性能,并与目前国际最新的商业化产品进行对比。使用更低势垒高度的钼(Mo)金属作为肖特基势垒金属,显著降低器件的开启阈值电压,利用碳化硅等离子干法刻蚀技术形成深沟槽,在此基础上离子注入形成的深P+结,可以在反向阻断时较好的屏蔽肖特基金属表面的电场强度,从而降低器件的反向漏电流。双外延的引入则大大降低了P+结之间的沟道电阻,提升器件整体导通性能。

摘要： 靖边气田目前已进入自然稳产末期,气田稳产形势严峻,"沟槽挖潜"已成为气田产能建设的新亮点.从2015-2018年产建情况来看,在原评价沟槽区完钻59口井中28口井钻遇马五1+2主力气层,这表明原有的"东西向连续树枝状"沟槽展布模式已不再适合气田实际生产状况.新一轮沟槽刻画表明,"沟槽与潜坑并存"的"沟-坑模式"与实际生产更为吻合.为此,通过靖边气田北区沟槽研究实践,提出了一种基于"沟-坑模式"的沟槽识别与精细刻画新方法,即:(1)利用钻井、地震资料进行沟槽初步识别,确定沟槽、潜坑轮廓;(2)建立静态修正模型,对初步确定的沟槽、潜坑轮廓进行调整细化,落实分支沟形态;(3)建立动态验证模型,精细刻画沟槽、潜坑细微形态;采用上述方法在靖边气田北区共识别和精细刻画出4条主沟槽、42条分支沟槽、12个潜坑,与原沟槽展布相比,沟槽面积减少60％,为后续"沟槽挖潜"提供了空间.沟槽刻画成果通过现场钻探取得了较好的应用效果,表明该方法对靖边气田沟槽识别与精细刻画具有指导意义,对类似古岩溶气田沟槽识别具有借鉴意义.

摘要： 哈尔滨卷烟总厂新研制开发的低焦油、低害高档卷烟“龙烟”香烟使用了由我公司研制、开发的生物DNA与沟槽二元复合特种滤嘴。rn 研制开发生物DNA与沟槽二元复合特种滤嘴响应了国家烟草专卖局提出“中式卷烟”高香气、低焦油、低危害的发展方向，使用特种嘴棒就是达到卷烟降焦减害和增香协香目的最为简便易行并行之有效的方法之一。rn 该特种嘴棒采用了生物DNA提取物作为近烟段的添加物，同时使用了沟槽为近唇段。在降焦减害的同时还具有一定的卷烟防伪辅助效果。

摘要： 本文用等效磁偶板子简化模型来分析工件表面沟槽产生的漏磁场垂直分量Hz,得悉:对于任意槽宽2 b和任一提离L在横向(槽宽方向)距沟槽中心±(b+△)处,Hz都会出现正、负极大值,其中△是b和L的复杂函数,故Hz正、负峰值间的横向距离Szp-p=2(b+△),且Hz没有随L变化的极值.

摘要： 根据带矩形沟槽方钢纵向磁化时各棱上磁荷线密度的近似表达式,本文分析了矩形沟槽几何尺寸对其引起漏磁场的影响:漏磁场将随着沟槽长度的增加而减速递增;最初随沟槽宽度或深度的增加而增加,在达到某个极大值后反而随它们的增加而递减;另外也还有漏磁场随沟槽宽度单调增加(或减小)的情形.

摘要： 超高压锅炉水冷壁内壁冲刷沟槽造成水冷壁爆管,国内外均未见此类问题报导,通过对沟槽引起的爆管进行统计分析,从中找出其规律性,认为是局部膜态沸腾引起,对超高压锅炉的折焰角设计、负荷特性及锅炉机组的安全具有重大的现实意义.

摘要： 提供了一种在稍作改动的环锭细纱机上纺纱的新方法,将这种使复合长丝在复合纱中产生"集束"效果的纺纱方法称之为集束纺.采用棉粗纱和复合长丝纺成31tex的集束纱和包芯纱,各加以5种不同的捻度,测试比较其强度、伸长率和均匀度,用电子显微镜现察纱的表面形态和结构差异,用切片影像处理法观察纱条截面中纤维的分布.结果表明:集束纱的特殊结构改善了纱条的性能,集束纱的强度和伸长率明显优于包芯纱,其捻系数以373.1左右为佳.

摘要： 提供了一种在稍作改动的环锭细纱机上纺纱的新方法,将这种使复合长丝在复合纱中产生"集束"效果的纺纱方法称之为集束纺.采用棉粗纱和复合长丝纺成31tex的集束纱和包芯纱,各加以5种不同的捻度,测试比较其强度、伸长率和均匀度,用电子显微镜现察纱的表面形态和结构差异,用切片影像处理法观察纱条截面中纤维的分布.结果表明:集束纱的特殊结构改善了纱条的性能,集束纱的强度和伸长率明显优于包芯纱,其捻系数以373.1左右为佳.

摘要： 提供了一种在稍作改动的环锭细纱机上纺纱的新方法,将这种使复合长丝在复合纱中产生"集束"效果的纺纱方法称之为集束纺.采用棉粗纱和复合长丝纺成31tex的集束纱和包芯纱,各加以5种不同的捻度,测试比较其强度、伸长率和均匀度,用电子显微镜现察纱的表面形态和结构差异,用切片影像处理法观察纱条截面中纤维的分布.结果表明:集束纱的特殊结构改善了纱条的性能,集束纱的强度和伸长率明显优于包芯纱,其捻系数以373.1左右为佳.

摘要： 提供了一种在稍作改动的环锭细纱机上纺纱的新方法,将这种使复合长丝在复合纱中产生"集束"效果的纺纱方法称之为集束纺.采用棉粗纱和复合长丝纺成31tex的集束纱和包芯纱,各加以5种不同的捻度,测试比较其强度、伸长率和均匀度,用电子显微镜现察纱的表面形态和结构差异,用切片影像处理法观察纱条截面中纤维的分布.结果表明:集束纱的特殊结构改善了纱条的性能,集束纱的强度和伸长率明显优于包芯纱,其捻系数以373.1左右为佳.

摘要： 提供了一种在稍作改动的环锭细纱机上纺纱的新方法,将这种使复合长丝在复合纱中产生"集束"效果的纺纱方法称之为集束纺.采用棉粗纱和复合长丝纺成31tex的集束纱和包芯纱,各加以5种不同的捻度,测试比较其强度、伸长率和均匀度,用电子显微镜现察纱的表面形态和结构差异,用切片影像处理法观察纱条截面中纤维的分布.结果表明:集束纱的特殊结构改善了纱条的性能,集束纱的强度和伸长率明显优于包芯纱,其捻系数以373.1左右为佳.

摘要： 本技术提供一种能够自动磨削芯棒上的沟槽，磨削精度和加工效率较高的沟槽位置可调芯棒沟槽加工装置，它包括机身、进料箱、进料机构、上磨削机构、下磨削机构、侧压紧机构；进料箱与工作台之间形成一根芯棒能够进出的出料口；进料机构的推板把芯棒推入上砂轮下部、下砂轮上部；在机身上设置在垂直于芯棒轴线的方向上上下移动的下箱体，平行于芯棒轴线的下导轨、下平移丝杠固定在下箱体上；下磨削机构滑动设置在下导轨上；与下平移丝杠配合的下平移滑块与下磨削机构相连。

摘要： 本技术提供一种能够自动磨削芯棒上的沟槽，磨削精度和加工效率较高的沟槽位置可调芯棒沟槽磨削装置，它包括机身、进料箱、进料机构、上磨削机构、下磨削机构、侧压紧机构；进料箱与工作台之间形成一根芯棒能够进出的出料口；进料机构的推板把芯棒推入上砂轮下部、下砂轮上部；上磨削机构通过下述结构可平行于芯棒轴线左右移动的设置机身上：在机身上设置平行于芯棒轴线的上导轨，上磨削机构滑动设置在上导轨上；在机身上转动设置上平移丝杠，与上平移丝杠配合的上平移滑块与上磨削机构相连；在机身上设置在垂直于芯棒轴线的方向上上下移动的上箱体，上导轨、上平移丝杠设置在上箱体上。

摘要： 本技术提供一种能够自动磨削芯棒上的沟槽，磨削精度和加工效率较高的芯棒双沟槽磨削设备，它包括机身、进料箱、进料机构、上磨削机构、下磨削机构；进料箱与工作台之间形成一根芯棒能够进出的出料口；进料机构的推板把芯棒推入上砂轮下部、下砂轮上部；用于对芯棒的下部进行磨削的下磨削机构具有下砂轮和驱动下砂轮的下砂轮驱动机构；下磨削机构有两个，两个下磨削机构中的下砂轮在平行于芯棒轴线的方向上排列。

摘要： 本技术提供一种能够自动磨削芯棒上的沟槽，磨削精度和加工效率较高的芯棒沟槽磨削机，它包括机身、进料箱、进料机构、上磨削机构、下磨削机构、侧压紧机构；进料箱与工作台之间形成一根芯棒能够进出的出料口；进料机构的推板把芯棒推入上砂轮下部、下砂轮上部；侧压紧机构包括浮动侧压板和连接在工作台上的侧压靠山板，侧压弹簧常态时使得浮动侧压板把在推板平推下而在工作台上平移的芯棒压紧在浮动侧压板与侧压靠山板之间；侧压调节板在平行于芯棒轴线的方向上可左右移动的设置在工作台上；在浮动侧压板与侧压调节板之间设置有所述的侧压弹簧；在浮动侧压板上固定有侧压板导柱，侧压板导柱与侧压调节板左右滑动配合，侧压弹簧环绕侧压板导柱。

摘要： 本技术提供一种能够自动磨削芯棒上的沟槽，磨削精度和加工效率较高的自适应芯棒沟槽磨削设备，它包括机身、进料箱、进料机构、上磨削机构、下磨削机构；进料机构的推板把芯棒推入上砂轮下部、下砂轮上部；进料箱包括芯棒两端位于其内的竖直导槽，竖直导槽由侧挡板、前挡板和后挡板围成；前挡板和后挡板平行，侧挡板与芯棒轴线垂直；仅一根芯棒能够进出的出料口位于前挡板底缘与工作台上表面之间；前挡板在前后方向上和上下方向上均可移动的连接在侧挡板上：前挡板与侧滑板相连，侧滑板与侧挡板平行；侧挡板在左右方向上左右移动的设置在工作台上。

摘要： 本发明公开了一种含有沟槽栅的深沟槽型超级结的栅沟槽的形成方法，包括步骤：在半导体衬底上形成硬掩膜；采用光刻工艺定义出深沟槽区域；将深沟槽区域的硬掩膜去除，以硬掩膜为阻挡层进行刻蚀形成多个交替排列的深沟槽；对深沟槽进行半导体材料填充；对半导体材料进行回刻到表面低于深沟槽的顶部位置；在半导体衬底的正面淀积氧化膜；对氧化膜进行回刻直到硬掩膜的氮化膜露出；利用腐蚀工艺将氮化膜去除、将位于深沟槽区域的氧化膜保留；利用呈交替排列的氧化膜为掩膜对半导体衬底进行刻蚀形成栅沟槽。本发明能简化工艺流程，提高产品工艺的对准精度，提高产品的性能。

摘要： 本发明提供一种沟槽型器件沟槽栅制备方法以及沟槽型器件沟槽栅，在衬底(10)上生长掩膜层，并刻蚀掩膜层形成开口(41)；采用湿法刻蚀工艺刻蚀开口(41)处的掩膜层，之后刻蚀衬底(10)形成沟槽(40)和沟槽(40)顶部的削切面；去除掩膜层，并在沟槽(40)侧壁、削切面以及衬底(10)的正面依次生长栅极氧化层(50)和栅极(60)，通过形成沟槽(40)和沟槽(40)顶部的削切面，避免沟槽顶部形成尖角，提高了削切面处的击穿电压，提高了沟槽型器件的击穿电压，大大降低了沟槽型器件被击穿而失效的概率，延长了沟槽型器件的寿命，节省成本。

摘要： 本发明公开了一种保润沟槽滤棒和沟槽纸的制备方法及保润沟槽滤棒，保润沟槽滤棒沟槽纸的制备方法包括：根据聚丙烯酰胺和瓜尔胶的质量比为(10‑20):(1‑6)，配制保润液；根据保润液与沟槽纸的原料纸浆的质量比为(1‑2):20，在沟槽纸施胶的过程中，将保润液通过施胶机添加至沟槽纸上，得到沟槽纸；对沟槽纸进行烘干处理，卷纸后得到沟槽纸卷；将沟槽纸卷拉伸后复卷，并在复卷的过程中向沟槽纸喷洒水蒸气，使得复卷后的沟槽纸卷的含水率为7％‑10％，即得到保润沟槽滤棒沟槽纸。本公开的保润沟槽滤棒沟槽纸的制备方法在沟槽纸的制纸过程中添加了保润液，并在添加保润液后对沟槽纸卷进行复卷及加湿处理，有效减轻了由该沟槽纸制备的沟槽滤棒的抽吸干燥感。

摘要： 本发明提供沟槽肖特基终端区沟槽刻蚀方法及沟槽肖特基制备方法，沟槽式肖特基终端区的沟槽刻蚀方法包括在沟槽式肖特基的终端区刻蚀多个沟槽，沟槽的宽度小于3um。沟槽式肖特基的制备方法包括：提供衬底材料；沟槽刻蚀；生长栅氧化层；沉积多晶硅，多晶刻蚀；沉积介质层；孔层刻蚀；势垒金属溅射或沉积，完成势垒合金，进行正面金属沉积，使用上述沟槽刻蚀方法对衬底材料的终端区进行沟槽刻蚀。该沟槽刻蚀的方法加工工艺难度降低，终端的沟槽与原胞区的沟槽深度上差异不大；沟槽poly填充和刻蚀后的光刻工艺的难度降低；后续孔层的光刻工艺难度的降低；终端区中沟槽中的多晶硅与正面金属电极短接，进一步提升器件的终端可靠性。

摘要： 本实用新型公开了一种沟槽终结端结构及JFET器件、沟槽MOS器件和沟槽二极管，其中沟槽终结端结构，包括：碳化硅衬底(001)，所述碳化硅衬底(001)具有第一导电类型；碳化硅衬底(001)上生长的碳化硅外延(002)，在碳化硅外延(002)上刻蚀的多个沟槽(003)，在所述沟槽(003)中注入的第二导电类型注入区(004)。传统的平面结终端技术由于边缘球面结构使得电场分布不均匀，而沟槽结构结合钝化层填充能够更好的分散电场。