一种沟槽型器件沟槽栅制备方法以及沟槽型器件沟槽栅

摘要

本发明提供一种沟槽型器件沟槽栅制备方法以及沟槽型器件沟槽栅，在衬底(10)上生长掩膜层，并刻蚀掩膜层形成开口(41)；采用湿法刻蚀工艺刻蚀开口(41)处的掩膜层，之后刻蚀衬底(10)形成沟槽(40)和沟槽(40)顶部的削切面；去除掩膜层，并在沟槽(40)侧壁、削切面以及衬底(10)的正面依次生长栅极氧化层(50)和栅极(60)，通过形成沟槽(40)和沟槽(40)顶部的削切面，避免沟槽顶部形成尖角，提高了削切面处的击穿电压，提高了沟槽型器件的击穿电压，大大降低了沟槽型器件被击穿而失效的概率，延长了沟槽型器件的寿命，节省成本。