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沟槽栅功率器件栅氧化膜特性的工艺研究

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本文分析了沟槽栅功率器件中对栅氧化膜特性造成影响的主要工艺因素,报告了一种获得高性能栅氧特性的方法,并且对栅氧化膜特性改善的机理进行了研究.对于厚度55nm的沟槽栅氧化膜,其正向偏置和反向偏置下的击穿电压都高于30伏特.

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来源
《集成电路应用》|2013年第11期|20-24|共5页
作者
雷海波; 王飞; 肖胜安;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体器件制造工艺及设备;
关键词
沟槽; VDMOS(垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管); 栅氧化膜特性;
入库时间 2023-07-24 22:10:57

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