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徐秋霞; 殷华湘; 委红浩; 高文芳; 朱亚江; 柴淑敏;
中国电子学会;
栅氧化膜; 超薄; 氮注入工艺; 热载流子;
机译:注入顺序对氮注入的硅衬底上具有栅氧化层生长的n-MOSFET表征的影响
机译:氮注入硅衬底上生长的一氧化氮退火栅氧化物的介电性能
机译:氮注入硅衬底的氧化表征1.9和1.4 nm超薄栅氧氮化物
机译:在氮注入的硅衬底上生长栅氧化层的双栅CMOS器件的性能和可靠性评估
机译:氮结合的氧化f栅介电薄膜和钛基金属栅电极用于双栅应用。
机译:硅衬底上生长的001取向的Pr3 +掺杂的Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3-PbTiO3铁电纳米膜的合成巨电介质和热电响应
机译:氟注入和结晶非晶硅膜上制造的顶栅多晶硅薄膜晶体管的特性
机译:通过离子束混合技术在Ti-6al-4V合金基底上产生的氧化铱膜的电荷注入特性
机译:双栅存储单元具有带有源区的硅衬底,带有非晶硅和二氧化钛混合氧化物的隧道氧化膜,用于存储电荷的浮栅,由介电材料制成的隔离层
机译:通过在牺牲层上注入氮并在形成氧化物之前进行退火的方法,在硅衬底上形成超薄氧化物层的方法
机译:用于双栅CMOS器件的氮注入超薄栅氧化物的形成方法
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