沟槽肖特基终端区沟槽刻蚀方法及沟槽肖特基制备方法

摘要

本发明提供沟槽肖特基终端区沟槽刻蚀方法及沟槽肖特基制备方法，沟槽式肖特基终端区的沟槽刻蚀方法包括在沟槽式肖特基的终端区刻蚀多个沟槽，沟槽的宽度小于3um。沟槽式肖特基的制备方法包括：提供衬底材料；沟槽刻蚀；生长栅氧化层；沉积多晶硅，多晶刻蚀；沉积介质层；孔层刻蚀；势垒金属溅射或沉积，完成势垒合金，进行正面金属沉积，使用上述沟槽刻蚀方法对衬底材料的终端区进行沟槽刻蚀。该沟槽刻蚀的方法加工工艺难度降低，终端的沟槽与原胞区的沟槽深度上差异不大；沟槽poly填充和刻蚀后的光刻工艺的难度降低；后续孔层的光刻工艺难度的降低；终端区中沟槽中的多晶硅与正面金属电极短接，进一步提升器件的终端可靠性。