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周卫平; 陈惠明; 王西政;
上海先进半导体制造有限公司,200233;
侧墙 ; 多晶回刻; ONO结构; Pt基势垒金属合金;
机译:肖特基势垒二极管壁集成沟槽MOSFET的4H-SiC m面{1(1)over-bar00}上的肖特基势垒高度的评估
机译:GaN基沟槽肖特基屏障二极管斜面斜坡的进展
机译:薄型和额定电流2 / 3A沟槽MOS势垒•16种肖特基二极管Vishay
机译:通过电极几何形状和肖特基接触的环绕沟槽来改善肖特基功率二极管的性能
机译:基于体氮化镓的电子设备:肖特基二极管,肖特基型紫外光电探测器和金属氧化物半导体电容器。
机译:具有增强的横向肖特基势垒均质性的低功率石墨烯/ ZnO肖特基UV光电二极管
机译:阳极沟槽几何对AlGan / GaN肖特基屏障二极管电学性能的影响
机译:二极管的单事件威胁 - 它不仅仅是肖特基二极管。
机译:沟槽肖特基二极管及形成沟槽肖特基二极管的方法
机译:沟槽肖特基二极管和形成沟槽肖特基二极管的方法
机译:沟槽型肖特基器件的形成,例如通过将多晶硅层沉积到沟槽内部,氧化,用导电多晶硅层填充沟槽并将肖特基接触施加到衬底顶部来形成二极管
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