机译:上漂移区双步局部SOI LDMOSFET:一种提高击穿电压和输出特性的新型器件
Computer Science and Electrical Engineering Department, University of Maryland, Baltimore County, Baltimore, MD 21250, USA;
Upper drift region double step partial SOI; MOSFET; Breakdown voltage; Output characteristic; Electric field distribution; Two dimensional (2-D) simulation;
机译:双窗口部分SOI-LDMOSFET:一种用于改善击穿电压的新型器件
机译:一种新型的具有阶梯厚度漂移区的SOI高压器件及其电场和击穿电压的分析模型
机译:一种新型的具有周期性掩埋氧化物的局部SOI LDMOSFET,可提高击穿电压并增强自热效应
机译:步进漂移LDMOSFET:一种用于先进智能电源技术的新型漂移区工程器件
机译:使用与SOI-CMOS兼容的增强击穿电压的MESFET进行节能的RF发送器设计。
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机译:快速单芯 - 量子分布式输出放大器的增强电压摆动配备双堆叠超导量子干扰装置
机译:部分真空中100 kHz范围脉冲电压下的氦击穿特性,用于点对点电极几何(后印刷)