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杨可萌;
南京邮电大学;
机译:在漂移区内具有任意垂直掺杂分布的横向功率器件的分析模型
机译:改进具有漂移区的SOI功率器件的击穿电压性能
机译:具有自对准漂移区的新型SOI横向功率MOSFET
机译:薄膜SOI上的高性能60V类横向功率MOSFET,在漂移区具有渐变的掺杂分布
机译:SOI设备低功耗,高频横向SiGE HBT的优化TCAD模拟
机译:关于碳掺杂GaN中供体/受体补偿比的建模在横向GaN功率Hemts中的单一再现击穿电压和电流塌陷
机译:超级结功率MOSFET中漂移区掺杂和列厚度变化的影响:二维仿真研究
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长
机译:漂移区中具有多个掺杂轮廓斜率的横向薄膜绝缘体上硅(SOI)器件
机译:横向薄膜绝缘体上硅(SOI)器件在漂移区具有多个掺杂轮廓斜率
机译:具有侧向漂移区且具有逆向掺杂分布的横向薄膜绝缘体上硅(SOI)器件及其制造方法
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