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罗卢杨; 方健; 等;
电子科技大学IC设计中心;
成都610054;
降场电极; U形漂移区; 耐压特性; SOI; LDMOS; RESURF;
机译:上漂移区双步局部SOI LDMOSFET:一种提高击穿电压和输出特性的新型器件
机译:具有截面线性掺杂漂移区的新型高压超薄SOI-LDMOS
机译:部分SOI技术中具有阶跃掺杂漂移区的高压(> 600 V)N岛LDMOS
机译:具有阶跃掺杂漂移区的新型600V部分SOI LDMOS
机译:图案化SOI LDMOS埋入式绝缘子的热分析
机译:具有超弹性和高电容的石墨烯/聚苯胺气凝胶作为高耐压超级电容器电极
机译:具有高漂移区的新型RF SOI LDMOS
机译:辐射诱导sOI n沟道LDmOsFET的退化
机译:使用偏置纵向场板,LDMOS晶体管和制造LDMOS晶体管的方法的LDMOS晶体管的漂移区域场控制。
机译:使用偏置纵向场板,LDMOS晶体管和制造LDMOS晶体管的方法对LDMOS晶体管进行漂移区域场控制
机译:组件布置具有MOS晶体管,例如MOSFET,其场电极与漂移区相邻设置,充电电路具有在晶体管的栅极和场电极之间切换的整流单元
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