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一种SOI LDMOS器件辐射效应仿真研究

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通过Sentaurus TCAD对一种SOI LDMOS进行辐射损伤模拟仿真.使用了Sentaurus TCAD仿真辐射效应适用的模型,分析了SOI LDMOS的总剂量辐射、中子辐射和瞬时剂量率辐射特性,为抗辐射的SOI LDMOS器件提供设计指导.

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来源
《电子与封装》 |2018年第7期|32-3438|共4页
作者
余洋; 乔明;
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作者单位

电子科技大学,成都610054;

电子科技大学,成都610054;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类可靠性及例行试验;
关键词
Sentaurus; 仿真模型; 总剂量辐射; 剂量率辐射; 中子辐射;

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