MOSFET; silicon-on-insulator; surface potential; semiconductor device models; semiconductor doping; substrates; threshold voltage; dual material gate; partially depleted SOI MOSFET; DMG-PD SOI MOSFET; reduced short-channel effects; surface potential; body doping concentration; gate oxide; buried oxide; silicon film thickness; substrate bias;
机译:深亚微米双材料栅极(DMG)部分耗尽的SOI MOSFET中抑制短沟道效应的证据-二维分析方法
机译:短通道双金属栅(DMG)隐式源/漏(Re-S / D)SOI MOSFET的分析阈值电压模型
机译:短沟道双金属栅(DMG)全耗尽型凹源极/漏极(Re-S / D)SOI MOSFET的分析亚阈值电流和亚阈值摆幅模型
机译:双层栅极(DMG)阈值电压的分析模型部分耗尽的SOI MOSFET和减少短信效应的证据
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:肽阻滞剂与电压门控钾离子通道结合的建模:方法和证据
机译:硅锗(SiGe)衬底上带有应变硅(s-Si)沟道的短沟道双材料栅极(DMG)MOSFET阈值电压的分析模型