一种非均匀掺杂的全耗尽SOI-MOSFET阈值电压模型(英文)

张国和; 邵志标; 周凯

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一种非均匀掺杂的全耗尽SOI-MOSFET阈值电压模型(英文)

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对垂直于沟道的二维电势分布函数提出了一种新的近似,给出了基于这种近似的杂质浓度呈高斯分布的非均匀掺杂全耗尽SOI-MOSFET的阈值电压解析模型.模型结果与MEDICI数值模拟结果符合得很好,表明了模型的准确性,这为实践中分析与控制非均匀掺杂的全耗尽SOI-MOSFET的阈值电压提供了一种新的途径.

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来源
《半导体学报》 |2007年第6期|842-847|共6页
作者
张国和; 邵志标; 周凯;
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作者单位

西安交通大学电子科学与技术系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
全耗尽SOI-MOSFET; 非均匀掺杂; 表面势; 阈值电压;

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