机译:完全耗尽的SOI MOSFET中的短沟道效应
机译:具有高介电常数的短沟道全耗尽型凹陷源极/漏极(Re-S / D)SOI MOSFET的阈值电压模型
机译:短沟道全耗尽型凹陷源极/漏极(Re-S / D)UTB SOI MOSFET的阈值电压模型,包括衬底引起的表面电势效应
机译:参数变化和随机掺杂波动对具有极薄BOX的短通道全耗尽SOI MOSFET的影响
机译:在部分耗尽和完全耗尽的环绕栅晶体管上特别强调的短通道多栅极SOI MOSFET的分析模型
机译:适用于部分耗尽型绝缘体上硅(SOI)MOSFET的面积有效体接触。
机译:FinFET和带铁电电容器的全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)MOSFET的磁滞窗口研究
机译:副通道全耗尽SOI MOSFET的子阈值电流建模与后栅极控制
机译:全耗尽sOI(绝缘体上硅)mOsFET的短沟道效应