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FDSOI(全耗尽绝缘体上硅)推动SOI发展

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正SOI技术在上世纪80年代开始发展,其性能优势得到业界公认,如抗辐射、低功耗、高速、工艺简单等,被认为是"二十一世纪的硅集成电路技术"。但SOI晶圆成本高于普通硅晶圆,而没有得到推广。1998年IBM成功利用SOI技术制成高性能处理器,标志着SOI正式迈入高性能商用芯片市场。此后的十几年SOI领

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来源
《半导体信息》 |2011年第2期|P.18-18|共1页
作者
孙再吉;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类场效应器件;
关键词
FDSOI; 绝缘体上硅; 硅集成电路; 硅晶圆; 高性能处理器; 沟道效应; 二十一世纪; 高性能产品; 氧化层; 结深;

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