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机译:采用0.15 µm完全耗尽型绝缘体上硅(FDSOI)工艺的0.5 µW亚阈值运算跨导放大器
机译:在暴露于质子辐射后,使用绝缘体内翼形翅片场效应晶体管设计的操作跨导放大器的电压增益改进
机译:具有增强的跨导的0.5 V高增益两级运算放大器
机译:采用0.18μmCMOS工艺的0.8V电源批量驱动运算跨导放大器和Gm-C滤波器
机译:亚阈值区域内的CMOS全差分运算跨导放大器及其应用
机译:具有跨导调整范围扩展的CMOS运算跨导放大器。
机译:FinFET和带铁电电容器的全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)MOSFET的磁滞窗口研究
机译:采用0.15 µm完全耗尽型绝缘体上硅(FDSOI)工艺的0.5 µW亚阈值运算跨导放大器