机译:采用28 nm完全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)技术的2.45 GHz 0.8 mW压控环形振荡器(VCRO)
EpOC, URE UNS 006, Universite Nice Sophia Antipolis, Sophia Antipolis, France;
EpOC, URE UNS 006, Universite Nice Sophia Antipolis, Sophia Antipolis, France,CEA-LETI, Grenoble, France;
CEA-LETI, Grenoble, France;
EpOC, URE UNS 006, Universite Nice Sophia Antipolis, Sophia Antipolis, France;
EpOC, URE UNS 006, Universite Nice Sophia Antipolis, Sophia Antipolis, France;
nanoelectronics; FDSOI; UTBB; VCO; PLL;
机译:采用28 nm完全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)技术的2.45 GHz 0.8 mW压控环形振荡器(VCRO)
机译:用于UWB应用的28-NM FDSOI技术中的低噪声电压控制环形振荡器
机译:130-NM CMOS技术的15 GHz,电压控制环形振荡器的设计:优化中央频率和功耗
机译:采用28nm FDSOI技术的低噪声压控环形振荡器
机译:采用90nm CMOS技术的140GHz基本模式压控振荡器