首页> 外文OA文献 >A 140-GHz Fundamental Mode Voltage-Controlled Oscillator in 90-nm CMOS Technology

【2h】

A 140-GHz Fundamental Mode Voltage-Controlled Oscillator in 90-nm CMOS Technology

机译：采用90nm CMOS技术的140GHz基本模式压控振荡器

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Changhua Cao; Student Member; Kenneth K. O; Senior Member;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2008
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. A 140-GHz fundamental mode voltage-controlled oscillator in 90-nm CMOS technology [J] . Changhua Cao, O K.K. IEEE microwave and wireless components letters . 2006,第期

机译：采用90 nm CMOS技术的140 GHz基本模式压控振荡器
2. Low-Power Voltage-Controlled Oscillators in 90-nm CMOS Using High-Quality Thin-Film Postprocessed Inductors [J] . Dimitri Linten, Xiao Sun, Geert Carchon, IEEE Journal of Solid-State Circuits . 2005,第9期

机译：采用高质量薄膜后处理电感的90nm CMOS低功耗压控振荡器
3. A Design of a 15-GHz, Voltage-Controlled Ring Oscillator in 130-nm CMOS Technology: Optimizing Central Frequency and Power Dissipation [J] . Taghizadeh-Marvast Fatemeh, Abouei Jamshid, Ghafoorzadeh-Yazdi Ali IEEE industrial electronics magazine . 2021,第1期

机译：130-NM CMOS技术的15 GHz，电压控制环形振荡器的设计：优化中央频率和功耗
4. Optimization of LC voltage-controlled oscillators in 90-nm CMOS technology for 3G transceivers [C] . Ulansky V.V., Elsherif H.M. 2013 IEEE 33rd International Scientific Conference on Electronics and Nanotechnology . 2013

机译：针对3G收发器的90nm CMOS技术中的LC压控振荡器的优化
5. A comparative study of low phase noise voltage-controlled oscillators (VCOs) in CMOS technology. [D] . Yao, Hu Jing. 2006

机译：CMOS技术中低相位噪声压控振荡器（VCO）的比较研究。
6. Switched-Biasing Techniques for CMOS Voltage-Controlled Oscillator [O] . Cheol-Woo Kang, Hyunwon Moon, Jong-Ryul Yang 2021

机译：CMOS电压控制振荡器的开关偏置技术
7. W-band voltage-controlled oscillator design in 130 nm SiGe BiCMOS technology [O] . Alexander Kozhemyakin, Ivan Kravchenko 2019

机译：130 NM SiGe BICMOS技术的W波段电压控制振荡器设计

A 140-GHz Fundamental Mode Voltage-Controlled Oscillator in 90-nm CMOS Technology

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅