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Study of proton radiation effects on analog IC designed for high energy physics in a BICMOS-JFET Radhard SOI technology

机译:用于BICmOs-JFET Radhard sOI技术的高能物理模拟IC的质子辐射效应研究

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摘要

We present results from a fast charge amplifier and a wideband analog buffer fabricated in a BiCMOS-JFET Radhard SOI technology and irradiated up to 4.5 10(sup 14) protons/cm(sup 2). Simulations using main parameters from irradiated components fit roughly these results. (authors). 6 refs., 6 figs. (Atomindex citation 28:031396).

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