10MeV质子辐射效应对基于8T-CMOS星敏感器性能影响研究

摘要

为分析星敏感器性能下降和姿态测量精度下降的原因,研究了10 MeV质子辐照下8T全局曝光CMOS图像传感器(CIS)电离总剂量(TID)效应和位移损伤效应对星敏感器典型性能参数的影响。分析了CMOS图像传感器暗电流、暗信号非均匀性和光响应非均匀性随位移损伤剂量(DDD)的变化规律和星敏感器星对角距精度、质心定位精度随DDD的退化规律。该研究从系统角度分析了空间辐射对星敏感器性能参数的影响,为星敏感器在轨姿态误差测量和修正技术的研究奠定基础,同时也为高精度星敏感器的设计提供了一定的理论依据。