封面
声明
中文摘要
英文摘要
目录
第1章 绪论
1.1 引言
1.2 SOI技术
1.3 本论文的研究意义和主要内容
第2章 0.2 μm PD SOI器件总剂量辐射效应
2.1 引言
2.2 测试器件及实验描述
2.3 辐射偏置对SOI器件总剂量效应的影响
2.4器件尺寸对总剂量辐照效应的影响
2.5 小结
第3章 SOI材料的Pseudo-MOS方法电学性能表征
3.1 引言
3.2 Pseudo-MOS样品制备、测试原理及解析模型
3.3 测试参数及样品规格对Pseudo-MOS电学特性的影响
3.4 采用Pseudo-MOS电学表征评估SOI材料的抗辐照能力
3.5 小结
第4章 PD SOI材料的改性加固工艺及总剂量辐照效应研究
4.1 引言
4.2 硅离子注入抑制SOI材料的总剂量效应机理
4.3 硅离子直接注入工艺加固SOI材料及总剂量辐照实验
4.4 多次离子注入多次退火工艺加固SOI材料及总剂量辐照实验
4.5 先注入后键合工艺加固SOI材料及总剂量辐照实验
4.6 小结
第5章 总结与展望
5.1 论文总结
5.2 工作展望
参考文献
致谢
攻读学位期间发表论文目录
个人简历