硅栅器件属于《中国图书分类法》中的五级类目，该分类相关的期刊文献有40篇，会议文献有5篇，学位文献有28篇等，硅栅器件的主要作者有李金华、林成鲁、王倩，硅栅器件的主要机构有中国科学院微电子研究所、上海工程技术大学、上海柏斯高微电子工程有限公司等。
统计的文献类型来源于 期刊论文、 学位论文、 会议论文
1.[期刊]
摘要： 采用常规Ｐ阱硅栅ＣＭＯＳ改进工艺，进行１．５～２μｍＣＭＯＳ工艺研究。与常规工艺相比，做出的ＰＭＯＳ管漏源击穿电压可达１８～２３Ｖ，５Ｖ工作电压下沟道调制效应...
2.[期刊]
摘要： 基于硅衬底的氮化镓（GaN）功率器件MB51T008A可耐压150V。该产品初始状态是断开（Normally-off），相比于同等耐压规格的硅功率器件，
3.[期刊]
摘要： 瑞萨电子推出三款碳化硅复合功率器件RJQ．6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款产品在单一封装中结合了多个碳化硅二极管和多个功率晶体...
4.[期刊]
摘要： 通过优化设计和充分利用硅片面积 。
5.[期刊]
摘要： 富士通半导体（上海）有限公司于近期推出基于硅衬底的氮化镓（GaN）功率器件芯片MB51T008A，该芯片可耐压150V，将于2013年7月起开始提供新品样片，...
6.[期刊]
摘要： 发光三极管的引线框结构较为精细,产量很大,用高速冲床生产,对模具的精度和寿命要求很高。设计了25工位两件通用冲压排样方案和相应的精密硬质合金级进模,该模具能够...
7.[期刊]
摘要： 分别采用具有硅化物和不具有硅化物的SOI工艺制成了部分耗尽SOI体接触nMOS晶体管.在体接触浮空和接地的条件下测量了器件的关态击穿特性.通过使用二维工艺器件...
8.[期刊]
摘要： CISSOID日前宣布:公司已与中国科学院电工研究所(中科院电工所)达成战略合作关系,将共同开展基于碳化硅(SiC)功率模块的系统研发项目,攻克技术难题,实现...
9.[期刊]
摘要： 利用二次离子质谱仪对多晶硅/氧化硅界面进行分析,发现多晶硅/氧化硅界面不是突变的,而存在着一个过渡区;根据多晶硅薄膜的成核理论,分析该过渡区形成的物理起源和机...
10.[期刊]
摘要： 根据量子力学理论导出光纤色散理论模型,并从光的波动理论出发,给出线性啁啾光纤光栅色散基本方程;然后利用线性啁啾光纤光栅对色散的补偿原理、特性及其局限性作了定性...
11.[期刊]
摘要： 微量溶液pH值的检测在生物医学、食品质量监测以及环境监测等领域有着广泛的应用需求.本文设计了一种基于氧化铟(In2O3)纳米带的离子敏场效应晶体管,并将其用于...
12.[期刊]
摘要： 本文选择贴片式NPN双极器件作为研究对象,采用在器件辐照试验时设置平衡材料的方法,通过对器件辐照敏感电参数的测量,研究平衡材料对双极器件电离总剂量效应的影响程...
13.[期刊]
高鲁棒性N型沟道RF-LDMOS在TLP应力下的电学机理研究
摘要： 提高射频功率器件的鲁棒性有利于增强器件的抗静电放电能力和抗失配能力.为了直观地了解器件内部发生的电学过程,本文研究了高鲁棒性N型沟道RF-LDMOS (Rad...
14.[期刊]
摘要： 绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator,SOI)器件的全介质隔离结构改善了其抗单粒子效应性能,但也使其对总剂量效应更加敏感.为了评估SOI器件的...
15.[期刊]
摘要： 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体在混动汽车和电动汽车（EV,Electric Vehicles）市场发布了先进的高能效功率半导体器件,同...
16.[期刊]
摘要： 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体在混动汽车和电动汽车市场发布了先进的高能效功率半导体器件，同时还公布了新产品AEC—Q101汽车质量认证...
17.[期刊]
摘要： An electrically tunable fiber Bragg grating based on thermally poled twin-hole ...
18.[期刊]
摘要： 栅氧击穿不仅和栅氧质量相关,而且受前工序的影响很大.本文介绍了影响栅氧击穿的因素,如PBL隔离和腐蚀、电容结构.
19.[期刊]
摘要： 本文基于最近几年发现的新效应和创新设计,综合评述了4H-SiC功率器件：MOSFET、IGBT、SiCGT和PiN二极管的最新研发进展,包括研发过程遇到的主要...
20.[期刊]
摘要： 研究了传输栅掺杂,即N+TG和P+TG,对满阱容量以及暗电流的影响。沟道电势分布受传输栅与衬底功函数差的影响,随着钳位光电二极管和浮动扩散节点之间的势垒高度的...
