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谭开洲; 胡永贵; 张家斌;
电子工业部第二十四研究所;
CMOS工艺; 多晶硅栅; PMOS晶体管;
机译:一种新颖的0.5微米n / sup +/- p / sup + /多晶硅栅硅化物CMOS工艺
机译:1.5V单功函数W / WN / n / sup +/-多晶硅栅CMOS器件设计,具有用于90nm垂直单元DRAM的110nm掩埋沟道PMOS
机译:采用65 nm CMOS工艺评估高k /金属栅和SiON /多晶硅栅MOSFET的1 / f噪声特性
机译:双掺杂多晶硅栅极MOSFET的工艺和性能
机译:一种深亚微米单栅极CMOS技术,使用通过快速热化学气相沉积形成的原位掺杂硼的多晶硅锗锗栅极
机译:一次性编程非易失性存储器中使用的单个多晶硅栅全能无结鳍式场效应晶体管
机译:傅里叶变换红外光谱研究1,2-双(三萜-10,12-二炔酰基)-sn-甘油-3-磷酸胆碱的多晶相行为;一种可形成新型微结构的可聚合脂质。
机译:通过从植入的硅酸盐门中扩散出硼来生产具有掺杂的多晶硅栅的CMOS工艺
机译:CMOS工艺中双多晶硅栅的双掩模蚀刻
机译:在双多晶硅栅中掺杂p型杂质离子并使用该方法形成双多晶硅栅的方法
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