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郭玉璞;
电子工业部东北微电子研究所;
SRAM; 单晶硅; 多晶硅; 硅栅; 掺杂; IC; CMOS;
机译:具有标准CMOS工艺的400MHz随机周期双端口交错式DRAM(D {sup} 2RAM)
机译:采用28 nm高k /金属栅平面体CMOS技术的高度对称10晶体管2读/写双端口静态随机存取存储器位单元设计
机译:CMOS动态RAM接近静态RAM速度
机译:高速2k×8位NMOS静态RAM,具有新的双多晶硅栅存储单元工艺
机译:将超薄(1.6-2.0 nm)RPECVD堆叠的氧化物/氮氧化物栅极电介质集成到双多晶硅栅极亚微米CMOSFET中。
机译:通过静脉静脉和动脉Ecmo(V-ECPella)从静脉动脉ECMO和Impella2.5的成功断奶用于患有严重肺损伤的急性心肌梗死的患者
机译:小型CMOS静态RAM的低功耗高可靠性设计研究
机译:影响CmOs静态Ram翻转的因素
机译:双极CMOS静态ram存储器设备
机译:双极CMOS静态RAM存储器
机译:CMOS静态ram单元,带有附加的双极驱动晶体管
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