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罗来华; 刘文安; 沈文正;
西安微电子技术研究所;
双多晶硅栅; SOI; MOS器件;
机译:具有氮化氧化物的多晶硅栅极p-MOS和n-MOS器件的高场降解
机译:用于p / sup +/-多晶硅栅极MOS器件的氧氮化物栅极电介质
机译:工艺对p / sup + /(B)多晶硅栅MOS器件的正偏压温度老化不稳定性的依赖
机译:使用Si_2H_6和B_2H_6混合气在RTCVD系统中沉积有原生硼掺杂多晶硅和多晶硅栅极的MOS器件的比较
机译:将超薄(1.6-2.0 nm)RPECVD堆叠的氧化物/氮氧化物栅极电介质集成到双多晶硅栅极亚微米CMOSFET中。
机译:Al2O3 / GaN MOS器件深耗尽区中通过电导方法研究体陷阱
机译:支持和解释mOsavanvés:dispositif FD-sOI,transistor sans jonctions(JLT)ettransistoràcoucheminceàlele-conducteur d'oxyde amorphe。高级mOs器件的电气特性和建模:FD-sOI器件,无结晶体管和非晶氧化物半导体薄膜晶体管
机译:氢在多晶硅栅mOs器件中辐射诱导缺陷形成中的作用
机译:制造双多晶硅栅极的方法和使用该双多晶硅栅极的半导体器件的制造方法
机译:通过在形成金属栅电极之前形成和处理多晶硅栅电极来制造具有金属阻挡金属硅栅结构的MOS器件。
机译:在双多晶硅栅中注入p型离子杂质的方法和使用该方法制造双多晶硅栅的方法
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