North Carolina State University.;
机译:使用RPECVD /氧化工艺制备的氮化物/氧化物(N / O)复合材料的1.6 nm氧化物当量栅极电介质
机译:恒定电压应力下超薄RPECVD氧化物/氮化物栅极电介质击穿特性和电降解的结构依赖性
机译:基于氧化镧/氧化硅的栅极堆叠性能增强由于CMOS应用的超氧氮化物界面引起的增强
机译:将超薄(1.6 / spl sim / 2.0 nm)RPECVD氮氧化物栅极电介质集成到双多晶硅栅极亚微米CMOSFET中
机译:具有通过RPECVD制备的堆叠氧化物/氮化物和氮氧化物栅极电介质的CMOS器件的故障和可靠性。
机译:采用无注入技术的全栅TiN / Al2O3堆叠结构的低温多晶硅纳米线无结器件
机译:使用PVD / CVD堆叠锡和局部应变技术先进的Poly-Si NMIS和Poly-Si / TiN PMIS Hybrid-KCMIS