机译:使用PVD / CVD堆叠锡和局部应变技术先进的Poly-Si NMIS和Poly-Si / TiN PMIS Hybrid-KCMIS
机译:TiN膜厚变化对Poly-Si / TiN / SiO {sub} 2和Poly-Si / TiN / HfSiON栅堆叠有效功函数的影响
机译:鳍片高度对多晶硅/ PVD-TiN堆叠栅极FinFET性能的影响
机译:采用无应变接近技术和应力记忆技术的高性能侧壁镶嵌三栅多晶TFT
机译:使用PVD / CVD叠层TiN和局部应变技术的高级多晶硅NMIS和多晶硅/ TiN PMIS混合门高k CMIS
机译:使用摄影测量法,有限元和模态扩展技术对旋转结构进行全场动态应变监测的非接触方法。
机译:采用无注入技术的全栅TiN / Al2O3堆叠结构的低温多晶硅纳米线无结器件
机译:采用无注入技术的全栅TiN / Al2O3堆叠结构的低温多晶硅纳米线无结器件