退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
谭悦; 朱春翔;
东南大学微电子中心;
浙江大学功率器件研究所;
多晶硅栅; MOS器件; 亚阈特性; 集成电路;
机译:具有氮化氧化物的多晶硅栅极p-MOS和n-MOS器件的高场降解
机译:用于p / sup +/-多晶硅栅极MOS器件的氧氮化物栅极电介质
机译:工艺对p / sup + /(B)多晶硅栅MOS器件的正偏压温度老化不稳定性的依赖
机译:亚微米级CMOS器件的p / sup + /多晶硅栅极MOS结构中栅极氧化物的比例限制
机译:二氧化ha与多晶硅栅和双金属(钌-钽合金,钌)栅电极的界面工程和可靠性特性,适用于65 nm以上的技术。
机译:大鼠体感桶状皮层5A和5B层中锥体神经元的亚阈上和阈上感受野特性
机译:掺杂方法对亚微米CMOS器件中多晶硅栅电极电性能和微观形貌的影响
机译:氢在多晶硅栅mOs器件中辐射诱导缺陷形成中的作用
机译:通过在形成金属栅电极之前形成和处理多晶硅栅电极来制造具有金属阻挡金属硅栅结构的MOS器件。
机译:调整具有多晶硅栅极的MOS晶体管的阈值电压包括将锗离子注入到栅极中以改变栅极的电子亲和力
机译:用金属插入的多晶硅栅叠层形成MOS器件的方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。