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声明
第一章引言
§1.1课题的研究意义
§1.2 LDMOS器件简介
§1.2.1 LDMOS的结构与特性
§1.2.1 LDMOS结构和特性改的进方法
§1.3本文的主要工作
第二章DMG-LDMOS器件的结构设计与关键工艺的实现
§2.1 DMG-LDMOS器件的结构设计
§2.1.1复合栅电极的结构设计
§2.1.2场极板的结构设计
§2.1.3漂移区RESURF原理设计
§2.2 DMG-LDMOS器件的工艺设计
§2.1.1金属异质栅电极实现工艺
§2.1.2复合多晶硅栅电极实现工艺
§2.1.3 DMG-LDMOS器件的工艺流程
§2.3本章小结
第三章DMG-LDMOS阈值电压的分析与建模
§3.1 DMG-LDMOS阈值电压的模拟与分析
§3.1.1 DMG-LDMOS阈值电压与Lg1/Lg2的关系
§3.1.2 DMG-LDMOS阈值电压与复合栅功函数差的关系
§3.2 DMG-LDMOS阈值电压的经验模型
§3.2.1普通LDMOS阈值电压模型
§3.2.2 DMG-LDMOS阈值电压的经验模型
§3.3本章小结
第四章DMG-LDMOS电学特性分析
§4.1DMG-LDMOS直流特性分析
§4.1.1 DMG-LDMOS电势与电场分布
§4.1.2 DMG-LDMOS载流子速度分布
§4.1.3 DMG-LDMOS导通电阻与击穿电压
§4.2DMG-LDMOS交流特性分析
§4.2.1 LDMOS频率特性简介
§4.2.2 DMG-LDMOS跨导特性
§4.2.3 DMG-LDMOS电容特性
§4.2.4 DMG-LDMOS截止频率
§4.3本章小结
第五章总结
参考文献
致谢
攻读学位期间发表的学术论文
安徽大学;