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洪琪; 陈军宁; 柯导明; 刘磊; 高珊; 刘琦;
安徽大学电子科学与技术学院;
复合栅; 截止频率; 功函数; 横向扩散金属氧化物; 栅源电容; 栅漏电容;
机译:瞬态电流分析在多晶硅栅中带隙态电学特性的实验研究
机译:通过堆叠多晶硅层的感应耦合氮等离子体氮化形成p〜+多晶硅栅极的研究
机译:采用65 nm CMOS工艺评估高k /金属栅和SiON /多晶硅栅MOSFET的1 / f噪声特性
机译:部分未掺杂的多晶硅栅极P-LDMOS功率晶体管的装置特性
机译:二氧化ha与多晶硅栅和双金属(钌-钽合金,钌)栅电极的界面工程和可靠性特性,适用于65 nm以上的技术。
机译:二氧化硅纳米粒子/γ-APTES纳米复合材料修饰的表面多晶硅线葡萄糖传感器的特性
机译:关于晶界特性与多晶材料宏观特性之间相互关系的基础研究。最后报告,1991年10月至1996年12月。
机译:具有随机晶粒结构的多晶硅膜的积累方式,形成钨/硅的方式和形成钨/硅的方式无效,该多晶硅栅电极具有掺杂有复合材料膜的无规晶粒结构。
机译:MOSFET晶体管的制造工艺使用在薄氧化层上形成的多晶硅栅极,从而提供了更一致的特性
机译:在多晶硅栅极上控制氧化物的生长,以改善晶体管的特性
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