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张廷庆; 李建军; 刘家璐; 赵元富;
西安电子科技大学微电子学研究所;
二氟化硼; 氟离子注入; 迁移特性; 多晶硅栅;
机译:向多晶硅栅中注入氮(N / sub 2 // sup + /)对在多晶硅栅上形成的硅化钴的热稳定性的影响
机译:共掺杂和不掺杂POCl / sub 3 /的BF / sub 2 /或B注入多晶硅栅极的MOS电容器的特性
机译:瞬态电流分析在多晶硅栅中带隙态电学特性的实验研究
机译:具有p型多晶硅栅和多晶硅栅的MOS电容器在直接隧穿条件下的电应力特性
机译:二氧化ha与多晶硅栅和双金属(钌-钽合金,钌)栅电极的界面工程和可靠性特性,适用于65 nm以上的技术。
机译:一次性编程非易失性存储器中使用的单个多晶硅栅全能无结鳍式场效应晶体管
机译:高密度氯基等离子体中多晶硅栅刻蚀的原子尺度细胞模型和轮廓模拟:钝化层形成对特征轮廓演变的影响
机译:在多晶硅栅极结构中使用雪崩注入在不同氧化条件下生长的热氧化物中的空穴俘获
机译:在双多晶硅栅中注入p型离子杂质的方法和使用该方法制造双多晶硅栅的方法
机译:使用多晶硅栅极的NMOS集成电路电容器-使用辅助离子注入来制造电容器,并使用自动对准扩散来实现电话模拟到数字转换器
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