BF_2^+注入多晶硅栅的SIMS分析

摘要

文本采用SIMS技术,分析了BF_2^+注入多晶硅栅退火前后F原子在多晶硅和SiO_2中的迁移特性。结果表明,80keV,2×10^(15)和5×10^(15)cm^(-2) BF_2^+注入多晶硅栅经过900℃,30min退火后,部分F原子已扩散到SiO_a中。F在多晶硅和SiO_2中的迁移行为呈现不规则的特性,这归因于损伤缺陷和键缺陷对F原子的富集作用。