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创新性声明与关于论文使用授权的说明
第一章 绪论
第二章 MOS器件电离辐照效应
第三章 低剂量率辐照效应及BF_2~+注入加固的简要回顾
第四章 辐照实验
第五章 BF_2~+注入MOS器件低剂量率辐照实验结果与讨论
第六章 总结
致谢
参考文献
附录: 研究成果
刘传洋;
西安电子科技大学;
MOS器件; 低剂量率辐照效应; 器件结构;
机译:低质量离子注入SiO_2的表面电降解取决于离子质量,能量和剂量率
机译:低SiO_2区域CaO-Al_2O_3-SiO_2(-10%MgO)在1873 K中的低SiO_2区域中的SiO_2熔体
机译:B和BF_2注入在绝缘体上的硅和硅中的B和BF_2注入时,距离缺陷带的末端与上部掩埋氧化物界面之间的相互作用
机译:快速热退火下通过SiO_2薄膜在硅中注入BF_2〜+的研究
机译:参见关于SiO_2中陷阱俘获电子的研究统计
机译:在SiNx钝化层中注入氟离子的高击穿电压和低动态导通电阻AlGaN / GaN HEMT
机译:锗注入的Si / SiO_2 / Si结构的电致发光和光致发光
机译:在多晶硅栅极结构中使用雪崩注入在不同氧化条件下生长的热氧化物中的空穴俘获
机译:用于制造sio_2薄膜的材料的方法和使用相同的sio_2薄膜的方法
机译:使用化学计量改性的氮化物蚀刻停止层进行高密度选择性SiO_2:Si_3N_4蚀刻
机译:氮化硅膜Si_3N_4或氧化硅膜SiO_2的高温石墨实验容器及其制造方法
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