公开/公告号CN103021824B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-06-03
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;
申请/专利号CN201110282836.1
申请日2011-09-22
分类号
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人丁纪铁
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
入库时间 2022-08-23 09:26:26
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-06-03
授权
授权
2014-01-29
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/265 变更前: 变更后: 登记生效日:20140103 申请日:20110922
专利申请权、专利权的转移
2013-05-01
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/265 申请日:20110922
实质审查的生效
2013-04-03
公开
公开
机译: 具有最大化的多晶硅栅极激活的CMOS结构以及用于选择性地最大化栅极,扩展和源极/漏极区域中的掺杂激活的方法
机译: 具有最大化的多晶硅栅极激活的CMOS结构以及用于选择性地最大化栅极,扩展和源极/漏极区域中的掺杂激活的方法
机译: 自对准N + / P +掺杂的多晶硅插入触点到N + / P +掺杂的多晶硅栅极和N + / P +掺杂的源极/漏极区域