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机译:在CMOS技术中使用的共注入p +多晶硅栅极内,亚熔融激光退火引起的掺杂剂扩散和激活
STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38926 Crolles Cedex, France InESS (CNRS and Universite de Strasbourg), BP 20 CR, 23 rue de Loess, 67037 Strasbourg Cedex 2, France;
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InESS (CNRS and Universite de Strasbourg), BP 20 CR, 23 rue de Loess, 67037 Strasbourg Cedex 2, France;
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diffusion; activation; laser anneal; polycrystalline Si; boron;
机译:光热模拟用于研究先进CMOS技术中亚熔融激光退火工艺引起的图案效应
机译:光热模拟用于研究先进CMOS技术中亚熔融激光退火工艺引起的图案效应
机译:非熔融准分子激光退火在浅p + / n结形成过程中脉冲数对硅中掺杂物活化的影响
机译:栅极后掺杂使栅极/源极/漏极和扩展的注入/退火解耦:最大化0.1 / spl mu / m CMOS技术的多晶硅栅极激活
机译:一种深亚微米单栅极CMOS技术,使用通过快速热化学气相沉积形成的原位掺杂硼的多晶硅锗锗栅极
机译:通过水下激光退火结晶成多晶硅薄膜并同时灭活电缺陷
机译:使用p型和n型气相掺杂和亚熔体激光退火技术用于32 nm以下CMOS技术中的延伸结
机译:激光退火金属栅极sOI CmOs场效应晶体管的直流和射频特性