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郑养鉥; 张敏; 凌栋忠; 吴璘; 顾惠芬; 郑庆云; 邱斌;
中国科学院上海冶金研究所;
集成电路; 多层布线; CMOS; 工艺; 电路;
机译:采用65 nm CMOS工艺评估高k /金属栅和SiON /多晶硅栅MOSFET的1 / f噪声特性
机译:互连制造工艺和CMOS产品低成本布线的开发
机译:双层金属CMOS工艺中金属间介电诱导的N场器件故障
机译:1 Mu M CMOS双层金属技术的可制造可靠的旋转玻璃平面化工艺
机译:集成电路制造工艺仿真技术研究
机译:使用标准BSI工艺制造的3.0μm三倍增益像素的90 dB以上场景内单曝光动态范围CMOS图像传感器
机译:使用高分辨率CmOs制造工艺制造光子集成电路
机译:互补对称/金属氧化物半导体(CmOs)电路硬化。体积I.蓝宝石上硅(sOs)CmOs电路的制造和表征。
机译:采用背面-正面连接结构以将背面布线耦合到正面布线的电路,以及相关的互补金属氧化物半导体(CMOS)电路和方法
机译:CMOS图像传感器的制造方法,用于控制在CMOS图像传感器结构和CMOS图像传感器的金属布线侧壁上反射的光的反射
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