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机译:使用直接隧穿机制抑制浮体部分耗尽SOI器件的磁滞效应
Direct tunneling; Floating-body; Hysteresis; Partially depleted silicon-on-insulator (PD SOI);
机译:由于部分n +多晶硅栅极中的直接隧穿电流,在部分耗尽的SOI pMOSFET中产生了新的浮体效应
机译:基于90nm SOI CMOS工艺的H-Gate超薄栅极氧化物部分耗尽的SOI pMOS和nMOS器件中浮体电位的比较
机译:隧道二极管主体接触结构可抑制部分耗尽的SOI MOSFET的浮体效应
机译:由于部分n +多晶硅栅极中的直接隧穿电流,在部分耗尽的SOI pMOSFET中产生了新的浮体效应
机译:纳米栅极长度部分耗尽硅-NON-insulator CMOS器件和电路中浮体效应的分析,建模和控制
机译:FinFET和带铁电电容器的全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)MOSFET的磁滞窗口研究
机译:闪烁的FDSOI,DGSOI和FINFET器件中隧道渗漏机制的多相带集合蒙特卡罗分析