机译:由于部分n +多晶硅栅极中的直接隧穿电流,在部分耗尽的SOI pMOSFET中产生了新的浮体效应
机译:使用直接隧穿机制抑制浮体部分耗尽SOI器件的磁滞效应
机译:栅极隧穿浮体充电对0.10μm-CMOS部分耗尽SOI MOSFET的漏极电流瞬变的影响
机译:由于部分n +多栅极的直接隧道电流,部分耗尽的SOI PMOSFET的新浮体效应
机译:纳米栅极长度部分耗尽硅-NON-insulator CMOS器件和电路中浮体效应的分析,建模和控制
机译:CD11c + CD11b +树突状细胞的选择性耗竭部分消除了小鼠MOE中静脉MOG的致耐受性
机译:在改进的晶片上制造的130nm部分耗尽的SOI PMOSFET中由热载体注射诱导的降解