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采用非对称结构和注Ge的部分耗尽SOI nMOSFET的浮体效应(英文)

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研究了一种采用非对称结构和注 Ge的部分耗尽 0 .8μm SOI n MOSFET的浮体效应 ,实验结果表明这种结构能够提高漏端击穿电压约 1V,减轻反常亚阈值斜率和 kink现象 .浮体效应的减少是由于源区的浅结和注 Ge引入的晶体缺陷减少了寄生的横向

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来源
《半导体学报》 |2002年第11期|1154-1157|共4页
作者
刘运龙; 刘新宇; 韩郑生; 海潮和; 钱鹤;
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作者单位

中国科学院微电子中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
非对称结构; SOInMOSFET; 浮体效应; 注Ge; 注锗; 半导体; 场效应器件;

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