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Method for fabricating a part depletion type SOI device preventing a floating body effect

机译:防止浮体效应的零件耗尽型SOI器件的制造方法

摘要

Disclosed is a part depletion type SOI device capable of preventing a floating body effect and a method for fabricating the same. The part depletion type SOI device comprises physical isolated spaces on boundaries between a channel region and source/drain regions.
机译:公开了一种能够防止浮体效应的部件耗尽型SOI器件及其制造方法。部件耗尽型SOI器件包括在沟道区与源极/漏极区之间的边界上的物理隔离空间。

著录项

  • 公开/公告号US6461903B2

    专利类型

  • 公开/公告日2002-10-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.;

    申请/专利号US20010874293

  • 发明设计人 JONG WOOK LEE;

    申请日2001-06-06

  • 分类号H01L218/40;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 00:47:02

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