Centra Universitario da FEI Av. Humberto de Alencar Castelo Branco, 3972 09850-901 - Sao Bernardo do Campo, Brazil;
Laboratorio de Sistemas Integraveis - Universidade de Sao Paulo Av. Prof. Luciano Gualberto, trav.3 n. 158 05508-900 - Sao Paulo, Brazil;
IM;
机译:在高温下工作的部分耗尽的浮体SOI nMOS中的交流浮体效应:模拟电路的前景
机译:亚微米全耗尽(FD)SOI nMOSFET中的交流浮体效应及其对模拟应用的影响
机译:在部分耗尽的SOI nMOSFET薄栅极氧化物浮体中热载流子引起的漏极电流滞后和瞬变的退化
机译:散装和浮体之间的比较部分耗尽的SOI NMOSFET,用于高频模拟应用,从300 k下来运行到95 k
机译:纳米栅极长度部分耗尽硅-NON-insulator CMOS器件和电路中浮体效应的分析,建模和控制
机译:单环(SH)绝缘体上硅(SOI)nMOSFET在模拟应用中具有出色的热载流子可靠性