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卜建辉; 刘梦新; 胡爱斌; 韩郑生;
中国科学院微电子研究所;
绝缘体上硅; 总剂量效应; 最坏偏置; 部分耗尽; 辐照;
机译:用不同几何形状的完全耗尽的SOI NMOSFET对最坏情况偏置条件的总剂量响应的比较
机译:利用TCAD模拟和实验研究部分耗尽SOI nMOSFET的总剂量响应
机译:总剂量辐照导致部分耗尽的绝缘体上硅NMOSFET的磁滞效应降低
机译:部分耗尽的SOI晶体管对总剂量辐照的偏置依赖性
机译:完全耗尽的Δ沟道SOI NMOSFET的实现
机译:蒙特卡罗模拟验证总皮肤辐照技术的剂量测定
机译:0.2μm的独特总电离剂量效应研究 部分耗尽的绝缘硅技术
机译:sOI晶体管总剂量照射期间的最坏情况偏差
机译:自我优化电路,以减轻完全耗尽的SOI技术中的总剂量效果,温度漂移和老化现象
机译:具有专用单体偏置装置的部分耗尽SOI器件
机译:制造完全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)和部分耗尽型绝缘体上硅(PD-SOI)器件的方法
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