机译:总剂量辐照导致部分耗尽的绝缘体上硅NMOSFET的磁滞效应降低
State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Instituteof Microsystem and Information Technology, Shanghai, China;
Charge carrier processes; Hysteresis; Logic gates; MOSFETs; Radiation effects; Transconductance; Tunneling; Hysteresis; linear kink effect; silicon-on-insulator (SOI); total dose irradiation;
机译:在部分耗尽的SOI nMOSFET薄栅极氧化物浮体中热载流子引起的漏极电流滞后和瞬变的退化
机译:在130nm部分耗尽的SOI I / O NMOSFET中,总电离剂诱导增强的热载体注射效果
机译:总电离剂量辐照对部分耗尽SOI nMOSFET的低频噪声响应的影响
机译:65nm栅极长度,部分耗尽的绝缘体上硅nMOSFET中的总电离剂量和随机掺杂物波动效应
机译:规模化和部分耗尽的绝缘体上硅场效应晶体管中噪声机制的仿真。
机译:FinFET和带铁电电容器的全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)MOSFET的磁滞窗口研究
机译:0.2μm的独特总电离剂量效应研究 部分耗尽的绝缘硅技术