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彭力; 洪根深;
无锡微电子科研中心IC工艺实验室;
SOI; MOSFET; 浮体效应; kink效应;
机译:在高温下工作的部分耗尽的浮体SOI nMOS中的交流浮体效应:模拟电路的前景
机译:部分耗尽的SOI-CMOS中的体接触自偏压效应以及抑制浮体效应的替代方法
机译:由于部分n +多晶硅栅极中的直接隧穿电流,在部分耗尽的SOI pMOSFET中产生了新的浮体效应
机译:纳米栅极长度部分耗尽硅-NON-insulator CMOS器件和电路中浮体效应的分析,建模和控制
机译:小鼠替代抗体的抗体和Tremetimumab缺乏效应功能的活性以及在癌症小鼠模型中耗尽调节T细胞的能力
机译:耗尽和部分耗尽的CCD中的点扩散函数。
机译:最小化浮体效应的部分耗尽型SOI MOS晶体管及其制造方法
机译:防止浮体效应的零件耗尽型SOI器件的制造方法
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